Microchip 出16位单片机和数字信号控制器
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美国微芯科技(MicrochipTechnology)公司日前宣布，推出其首个16位单片机系列—PIC24和第二个16位数字信号控制器系列—dsPIC33F。这两个系列产品共为嵌入式系统设计人员提供了49款新型16位器件，可满足其对性能、存储器和外设等方面日益增长的需求。加上此前推出的21款dsPIC30系列数字信号控制器，目前Microchip已经拥有70款16位器件。当前，嵌入系统设计人员面临着诸多挑战，包括在按时完成项目的同时必须降低成本，满足新的客户和
&&&&美国微芯科技(Microchip Technology)公司日前宣布，推出其首个16位单片机系列—PIC24和第二个16位数字信号控制器系列—dsPIC33F。这两个系列产品共为嵌入式系统设计人员提供了49款新型16位器件，可满足其对性能、存储器和外设等方面日益增长的需求。加上此前推出的21款dsPIC30系列数字信号控制器，目前Microchip已经拥有70款16位器件。 　　当前，嵌入系统设计人员面临着诸多挑战，包括在按时完成项目的同时必须降低成本，满足新的客户和市场需求，以及提供具有显著差异性的产品等。Microchip新型16位单片机和数字信号控制器系列以高达40 MIPS的性能——这一业界最高的16位单片机性能，经济有效地满足了上述需求。对8位单片机用户而言，PIC24和dsPIC33F两个系列以经济有效的方式提升了性能、存储器和外设，同时保持了嵌入式控制应用所需的架构效率，如迅速的中断响应、极佳的位操作和业界领先的C代码效率。 　　为了进一步提高开发周期效率，新型16位系列在命名、引脚和外设兼容性方面延续了Microchip从中档8位单片机到新型PIC24和dsPIC33F系列的无缝迁移思路。另外，工程师还可借助Microchip的通用MPLAB?集成开发环境(IDE)平台减少其在开发工具和学习时间方面的投入。该平台支持现有的350余款8位和16位器件。
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&&& 目前，处理器性能的主要衡量指标是时钟频率。绝大多数的集成电路 （IC） 设计都基于同您所在位置： &
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PIC16位数字信号控制器和单片机入门指南
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PIC16位数字信号控制器和单片机入门指南基本连接要求在开始使用dsPIC33EPXXXGP50X、dsPIC33EPXXXMC20X/50XPIC24EPXXXGP/MC20X系列器件进行开发之前，需要注意最基本的器件引脚连接要求。下面列出了必须始终连接的引脚名称：?所有VDD和VSS引脚?所有AVDD和AVSS引脚（不论是否使用ADC模块）?VCAP?MCLR引脚?PGECx/PGEDx引脚，用于进行在线串行编程（In-CircuitSerialProgramming?，ICSP?）和调试?OSC1和OSC2引脚（使用外部振荡器源时）此外，可能还需要连接以下引脚：?VREF+/VREF-引脚（在实现ADC模块的外部参考电压时使用)去耦电容需要在每对电源引脚（例如，VDD/VSS和AVDD/AVSS）上使用去耦电容。使用去耦电容时，需要考虑以下标准：?电容的类型和电容值：建议使用参数为0.1μF（100nF）、10-20V的电容。该电容应具有低ESR，谐振频率为20MHz或更高。建议使用陶瓷电容???在印刷电路板上的放置：去耦电容应尽可能靠近引脚。建议将电容与器件放置在电路板的同一层。如果空间受限，可以使用过孔将电容放置在PCB的另一层，但请确保从引脚到电容的走线长度小于0.25英寸（6毫米）。?高频噪声处理：如果电路板遇到高频噪声（频率高于数十MHz），则另外添加一个陶瓷电容，与上述去耦电容并联。第二个电容的电容值可以介于0.001μF和0.01μF之间。请将第二个电容放置在靠近主去耦电容的位置。在高速电路设计中，需要考虑尽可能靠近电源和接地引脚放置一对电容。例如，0.1μF电容与0.001μF电容并联。?最大程度提高性能：对于从电源电路开始的电路板布线，需要将电源和返回走线先连接到去耦电容，然后再与器件引脚连接。这可以确保去耦电容是电源链中的第一个元件。同等重要的是尽可能减小电容和电源引脚之间的走线长度，从而降低PCB走线电感。大容量电容对于电源走线长度超出6英寸的电路板，建议对集成电路（包括DSC）使用大容量电容来提供本地电源。大容量电容的电容值应根据连接电源与器件的走线电阻和应用中器件消耗的最大电流确定。也就是说，选择的大容量电容需要满足器件的可接受电压骤降要求。典型值的范围为4.7μF至47μF。主复位（MCLR）引脚MCLR引脚提供两种特定的器件功能：?器件复位?器件编程和调试在器件编程和调试过程中，必须考虑到引脚上可能会增加的电阻和电容。器件编程器和调试器会驱动MCLR引脚。因此，特定电压（VIH和VIL）和快速信号跳变一定不能受到不利影响。所以，需要根据应用和PCB需求来调整R和C的具体值。例如，如下图所示，在编程和调试操作期间，建议将电容C与MCLR引脚隔离。将下图中所示的元件放置在距离MCLR引脚0.25英寸（6毫米）范围内。ICSP引脚PGECx和PGEDx引脚用于进行ICSP和调试。建议尽可能减小ICSP连接器与器件ICSP引脚之间的走线长度。如果ICSP连接器会遇到ESD事件，则建议添加一个串联电阻，电阻值为几十欧姆，不要超出100Ω。建议不要在PGECx和PGEDx引脚上连接上拉电阻、串联二极管和电容，因为它们会影响编程器/调试器与器件的通信。如果应用需要此类分立元件，则在编程和调试期间应将它们从电路中去除。或者，请参见相应器件闪存编程规范中的交流/直流特性与时序要求信息，了解关于容性负载限制、引脚输入高电压（VIH）和输入低电压（VIL）要求的信息。请确保编程到器件中的“通信通道选择”（即PGECx/PGEDx引脚）符合与MPLAB?PICkit?3、MPLABICD3或MPLABREALICE?的ICSP物理连接。关于ICD2、ICD3和REALICE连接要求的更多信息，请参见Microchip网站上提供的以下文档。?“UsingMPLAB?ICD3”（海报）（DS51765）?“MPLAB?ICD3DesignAdvisory”（DS51764）?《MPLAB?REALICE?在线仿真器用户指南》（DS51616A_CN）?“UsingMPLAB?REALICE?In-CircuitEmulator外部振荡器引脚许多DSC都有至少两个振荡器可供选择：高频主振荡器和低频辅助振荡器。详情请参见第9.0节“振荡器配置”。振荡器电路与器件应放置在电路板的同一层。此外，请将振荡器电路放置在靠近相应振荡器引脚的位置，它们之间的距离不要超出0.5英寸（12毫米）。负载电容应靠近振荡器本身，位于电路板的同一层。请在振荡器电路周围使用接地覆铜区，以将其与周围电路隔离。接地覆铜区应与MCU地直接连接。不要在接地覆铜区内安排任何信号走线或电源走线。此外，如果使用双面电路板，请避免在电路板上晶振所
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Microchip推出增强型内核数字信号控制器和单片机
　全球领先的整合单片机、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商&&MicrochipTechnology Inc.(美国微芯科技公司)宣布，推出60 MIPS 16位dsPIC&数字信号控制器(DSC)和PIC24单片机(MCU)。60 MIPS dsPIC33和PIC24&E&器件基于新一代dsPIC DSC/PIC24 MCU内核，与前一代dsPIC DSC/PIC24 MCU内核相比，具备更大的闪存(536 KB)、更大的RAM(52 KB)、采用144引脚封装的更高I/O能力、一个USB 2.0 OTG接口，以及扩展的电机控制、图形、音频和实时嵌入式控制能力。为了支持这九款新发布的dsPIC33和PIC24&E&器件，Microchip同时推出了两款USB入门工具包和五个接插模块(PIM)，可以与其多媒体扩展板、电机控制开发工具包和Explorer 16开发平台一起使用。此外，还有30个软件库和相关主题应用笔记，如语音和音频、加密/解密、通信和电机控制。新器件和全面的支持包有助于客户在更短时间内创建高性能设计。
　　Microchip的dsPIC33E DSC和PIC24E MCU完全兼容现有的dsPIC33F DSC和PIC24H/PIC24F MCU产品线、软件库和工具，为当前的客户提供了坚实的成长基础。新推出的USB 2.0 On-The-Go(OTG)外设可以连接PC、闪存驱动器和其他支持USB的设备，而60 MIPS的性能意味着这些新器件支持高端工业和商业应用，如伺服电机控制、太阳能逆变器，以及同时运行2个三相电机。此外，新的独立脉宽调制(PWM)模式支持多种步进电机和死区补偿，从而降低了软件开销。三个片上模拟比较器可进一步降低系统成本，减少所需的外部元件数量。
　　Microchip高性能单片机部副总裁Sumit Mitra表示：&Microchip不断在16位产品线上进行投资。在上一代dsPIC DSC和PIC24 MCU成功的基础之上，新的&E&内核器件及其丰富的支持资源提供了更高的性能和集成度和整体产品解决方案，以便客户实现日益复杂的设计。&
　　首批dsPIC33和PIC24&E&器件均包括四个SPI和UART接口，以及2个I2C&接口。一种新的辅助闪存模块可帮助设计人员编程或擦除闪存数据，而不会减慢CPU的正常运行，这对电机控制、电源转换和需要即时编程的许多其他应用至关重要。经改进的直接存储器访问(DMA)功能可自动启动已链接的DMA操作，而改善后的调试功能可支持复杂断点以实现快速调试。此外，凭借增强的定时器功能，dsPIC33和PIC24&E&器件的输入捕捉和输出比较模块也更加灵活和强大。
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