怎么测量pcb板上的mosfet的主板内存供电电压测量

大功率MOS管和IGBT的电流,电压指标是怎么测量的?-电源网
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大功率MOS管和IGBT的电流,电压指标是怎么测量的?
浏览:1495
发表于 17:07 |
那种datasheet上标注工作电流(不是脉冲电流)上百A,电压上百V的大功率MOS管和IGBT,怎么测量这两个指标?
真的给MOS管和IGBT加上那么大的持续电流?比如一个MOS管或IGBT的电流指标是150A,厂家测试的时候就是给信号让MOS管或IGBT持续开通,然后长时间加上一个150A的直流电流?
那不得有个功率很大的电源和一个功率很大的负载才行?
还得加散热片?
测电压的时候就是管子关闭状态加上那么高的电压,不被击穿就OK?
发表于 16:26 |
在不伤害万电表的情况下, 只要温度在范围内,可以测
发表于 23:57 |
其实这些参数的测量都是根据一定的条件和一定的测量电路得到的,测试条件一般都会给出,但是测试电路有些不会再datasheet给出。比如Ices,ge短路加Vces时测得的Ic,这个指标用来衡量开关不动作时,额定电压的通电流。测电压VCES是否达标,我遇到过一个例子是ge短路,往c极通电流,测量ce的电压。但是这个测试方法测坏了很多的管子,因为ce是高阻,通往c极的电流控制不好的话,会导致ce之间的电压超过了管子耐压,击穿了。
发表于 09:04 |
看SOA区就可以。
发表于 17:26 |
具体IGBT的测试方法可参考IGBT测试标准&IEC60747,这里面会讲解IGBT参数的详细测试方法,一般IGBT出厂时都需要进行一些关键参数测试,不过一般都是用脉冲的方式,手册里的实际参数值一般制定的比较保守。
关于IGBT详细参数的解释可参考下面文章:
发表于 09:18 |
发表于: 23:57
其实这些参数的测量都是根据一定的条件和一定的测量电路得到的,测试条件一般都会给出,但是测试电路有些不会再datasheet给出。比如Ices,ge短路加Vces时测得的Ic,这个指标用来衡量开关不动作时,额定电压的通电流。测电压VCES是否达标,我遇到过一个例子是g..
只要不击穿. 什么都好商量
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