AS4C512M16D3L-12BxN可以完全替换IS43TR16512AL吗？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-11-15 01:19 标签： 4C能力

作为行业的领导者 Memory近期宣布其進一步扩展了自己的SDRAM产品线，发布了一系列高速 和低电压DDR3L SDRAM产品新的512Mb x8和x16器件分别采用了78球和96球FBGA封装。产品采用DDR架构使得该系列SDRAM能够提供高达1600Mbps的极速传输速率和800MHz的时钟速率。

AS512M8D3LA的总容量同样为4Gb但为低电压供电版，支持+1.35V的电源电压同样根据工作温度也分为三个细分版本：（商用级），（工业级）和（车用级）

AS512M16D3L的总容量则高达8Gb，且采用低电压供电根据工作温度分为两个细分版本：（商用级）和（工业级）。值得一提的是这几款产品的低电压版本，都能够向下兼容到1.5V的普通电压供电

此外，这一系列新推出的DDR3和DDR3L SDRAM虽然存在参数上的差异但密度从512Mb到8Gb的器件都采用相同的FBGA封装，使得客户能够在需要较少内存的情况下轻松切换内存而不需要更改硬件设计。

通过最小化裸片面积使得SDRAM的体积进一步缩小，本次发布的器件能够为嵌入式系统台式机和笔记本电脑，工业计量应用消费类电子产品和无线基站中使用嘚众多类似解决方案提供方便、可靠、引脚级兼容的替代方案，以避免成本高昂二次设计和重复的测试认证

该系列DDR3和DDR3L SDRAM支持顺序和交错突發类型，读或写突发长度为4或8产品的自动预充电功能能够让设备在突发序列结束时启动自定时行预充电。刷新功能非常易于使用包括洎动刷新或自刷新两种模式。此外产品采用了无铅（Pb）和无卤素封装，符合RoHS标准能够允许方案在欧洲等更多地区快速投入使用。

· 差汾双向数据选通

· 可用于数据选通和屏蔽信号的标准和动态内部终端电阻（ODT）

· 固定突发长度（BL）为8，突发突变（BC）为4（可通过模式寄存器组[MRS]设置）

· 支持自刷新模式

· 根据温度自主刷新（SRT）

· 支持输出驱动器校准

· 8个内部簇同时操作

· 流水线内部架构

· 预充电和主动休眠

· 可编程模式和扩展模式寄存器

· 突发类型：顺序/交错

· 输出驱动器阻抗控制

· 自动刷新和自我刷新

技术顾问：春天里的远征

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