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ixys快恢复二极管快恢复模块现货替换型号
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ixys快恢复二极管快恢复模块现货替换型号
ixys快恢复二极管型号-HIGHSEMI快恢复二极管， 完全替换！
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IXYS Corporation
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公司主营：
可控硅、二极管、整流桥、IGBT
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上海市奉贤区新四平公路468弄4幢1层48室
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￥1.00元/只
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上海屿程电子科技有限公司.（简称：上海屿程）一直致力于代理，分销推广三菱、新电源、东芝、IR、摩托罗拉、西门子、英达、三肯、三洋、APT、ST ABB等知名品牌，产品涵盖数据转换、放大器和线性器件等系列，广泛应用于消费电子、医疗电子、航天航空、机场设施、码头装卸、电机调速、矿山焊机等领域，公司资金雄厚，大量现货、订货渠道、新产品的拓展资源等优势，为广大客户提供最优质的产品和服务。
艾赛斯快恢复二极管
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DSEP2x31-12A&
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15:36:11&&有效期至：长期有效
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&& 海飞乐乐技术有限公司，销售各种封装、型号、参数快恢复二极管、肖特基二极管、MOS管。HFME30N120A可完美替换DSEP2x31-12A。关于更多快恢复二极管的相关信息请登录我司网站 或者电话咨询：朱先生 &
& 随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，快恢复二极管作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材，并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源,对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。
& &快恢复二极管各参数之间存在着折衷关系，主要是正向导通特性、反向恢复特性，及反向击穿特性等之间各参数的矛盾；主要的性能参数包括正向压降、反向峰值电流、反向恢复时间、软度因子、阻断电压、漏电流，我们只能在各参数之间取其折衷而无法实现所有特性参数的最优值，在取得一项或几项参数优化的同时，不过多牺牲其它参数，实现器件综合性能在一定方向上的优化。
& 芯片与底板电气绝缘
& 2500V交流电压
& 国际标准封装
& 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力
& 真空+氢气保护焊接技术&
& 采用TO&220或TO&3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO&220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO&3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO&41、DO&15或DO&27等规格塑料封装。
IXYSDSEP2x31-12A现货参数价格资料
产品种类: 快恢复二极管
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227B-4
Vr - 反向电压 : 1200 V
If - 正向电流: 30 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Parallel
Vf - 正向电压: 3.24 V
最大浪涌电流: 200 A
Ir - 反向电流 : 250 uA
恢复时间: 40 ns
系列: DSEP2x31-12
封装: Tube
商标: IXYS
高度: 12.22 mm
长度: 38.23 mm
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
宽度: 25.42 mm
单位重量: 38 g
反向恢复时间
反向恢复时间（tr）的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t&t0时，正向电流I=IF。当t&t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
& 工作原理
& 二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。本产品网址：/b2b/highfel/sell/itemid-.html
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