DDR3和GDDR3有什么区别吗？？【显卡吧】_百度贴吧
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&签到排名：今日本吧第个签到，本吧因你更精彩，明天继续来努力！
本吧签到人数：0成为超级会员，使用一键签到本月漏签0次！成为超级会员，赠送8张补签卡连续签到：天&&累计签到：天超级会员单次开通12个月以上，赠送连续签到卡3张
关注：3,397,584贴子：
DDR3和GDDR3有什么区别吗？？收藏
显卡,企业中秋礼盒限量抢,8元月饼无敌券免费领,中秋采购不费神,三招解放采购人!显卡,企业询价,批量采购更优惠,一站式本地化购平台,为企业提供多样化采购方案!
GDDR3就是DDR2改的
DDR3是内存，GDDR3是显存，还是不一样的，DDR3一般都是8bit，也有16bit的颗粒，最小的还有4bit的，显存颗粒一般是16bit、也有32bit
● GDDR——显存和内存正式分家
GDDR作为第一代专用的显存芯片，其实在技术方面与DDR没有任何区别，同样采用了2bit预取技术，理论频率GDDR并不比DDR高多少。不过后期改
进工艺的GDDR有了优秀PCB的显卡支持之后，GDDR显存最高冲刺至900MHz，而DDR内存只能达到600MHz左右，显存和内存的差距从此逐渐
拉开。TSOP封装的GDDR 16bit：
8M×16Bit 4.0ns TSOP II封装的GDDR，单颗16MB，理论频率500MHz
当年9550、FXBit中端卡需要搭配8颗才能组成128Bit
TSOP封装的GDDR颗粒，外观规格特性都与DDR内存颗粒没有什么区别，所以在很多人看来“GDDR”与“DDR”是可以“划等号”的。其实两者还是有些差别：GDDR采用4K循环32ms的刷新周期，而DDR采用8K循环64ms的刷新周期；GDDR为了追求频率在延迟方面放的更宽一些，毕竟GPU对延迟不太敏感；GDDR颗粒的容量小、位宽大，一般是8×16Bit(16MB)的规格，而DDR颗粒的容量大、位宽小，虽然也有16Bit的颗粒，但最常见的还是8Bit和4Bit，单颗容量32MB或64MB。
为了实现更大的位宽，并进一步提升GDDR的性能，后期很多厂商改用了电气性能更好的MBGA封装，当然也有内存颗粒使用MBGA封装，但规格已有了较大差异，主要是颗粒位宽不同。MBGA封装的GDDR 32bit：
4M×32Bit 2.2ns MBGA封装的GDDR，单颗16MB，理论频率900MHz
8颗组成128MB 256Bit规格，是GDDR1最后的辉煌
MBGA封装GDDR的单颗位宽首次达到了32Bit，从此就标志着GDDR与DDR正式分道扬镳，32Bit的规格被GDDR2/3/4/5一直沿用至今。
GDDR显存的这两种封装：MBGA与TSOP构成的高低配，曾一度一统显卡市场。虽然GDDR已经退出历史舞台，但32Bit主攻中高端、16Bit主攻低端的局面，时至今日依然得到了延续。
GDDR2第一版：短命的早产儿 高压高发热
GDDR2源于DDR2技术，也就是采用了4Bit预取，相比DDR1代可以将频率翻倍。虽然技术原理相同，但GDDR2要比DDR2早了将近两年时间，
首次支持DDR2内存的915P主板于2004年中发布，而首次搭载GDDR2显存的FX5800Ultra于2003年初发布，但早产儿往往是短命的。
NVIDIA在设计NV30芯片时依然保持128Bit显存位宽，为了提高带宽必须使用高频显存，700MHz的GDDR已经无法满足需求了，于是冒险尝
试GDDR2。第一代GDDR2受制造工艺限制，电压规格还是和DDR/GDDR一样的2.5V，虽然勉强将频率提升至1GHz左右，但功耗发热出奇的
4M×32Bit 2.0ns MBGA 144Ball封装的GDDR2，单颗16MB，理论频率1000MHz
GDDR2第一版只有2.2ns和2.0ns两种速度
GDDR2第一版只在FX5800/Ultra和FX5600Ultra这三款显卡上出现过（也包括对应的专业卡及个别非公版显卡），ATI也有极少数
9800Pro使用了GDDR2。高电压、高发热、高功耗、高成本给人的印象非常差。随着FX5900改用GDDR及256Bit，GDDR2很快被人遗
FX5800Ultra需要为显存专门安装厚重的散热片
GDDR2失败的主要原因是NVIDIA GeForce
FX系列架构和性能的问题，之后即便改用了256Bit高频GDDR(此时GDDR的频率已被提升至850-900MHz，直逼
GDDR2)，FX5950Ultra依然不是9800XT的对手。当然GDDR2自身规格的不完善也造成了它无法入住中低端显卡，被时代所遗弃。
GDDR2虽然坏毛病一大堆，但它也拥有一些新的特性，比如首次使用片内终结电阻，PCB设计比GDDR更加简洁，这个特性被后来的gDDR2和GDDR3继承。
gDDR2第二版：统一低端显卡 永远的配角
由于第一代GDDR2的失败，高端显卡的显存是直接从GDDR跳至GDDR3的，但GDDR2并未消亡，而是开始转型。几大DRAM大厂有针对性的对GDDR2的规格和特性做了更改（说白了就是DDR2的显存版），由此gDDR2第二版正式登上显卡舞台，时至今日依然活跃在低端显卡之上。
gDDR2第二版相对于第一版的改进主要有：工作电压从2.5V降至1.8V，功耗发热大降；制造工艺有所进步，功耗发热进一步下降，成本降低，同时良率和容量有所提升；颗粒位宽从32Bit降至16Bit，只适合低端显卡使用；封装形式从144Ball MBGA改为84Ball FBGA，外观上来看从正方形变成长方形或者长条形；
各大厂商均有gDDR2颗粒
由于电压的下降，第二代gDDR2的频率要比第一代GDDR2低，主要以2.5ns(800MHz)和2.2ns(900MHz)的规格为主，当然也有
2.8ns(700MHz)的型号。直到后期制造工艺上去之后，第二代gDDR2才以1.8V电压突破了1000MHz，最高可达1200MHz，赶超了
第一代高压GDDR2的记录。
采用gDDR2显存的经典显卡有：7300GT、7600GS、X1600Pro、8500GT……一大堆低端显卡。
注意三星官方网站对于显存的分类
相信很多朋友也注意到了，gDDR2的第一个字母为小写，几大DRAM厂商在其官方网站和PDF中就都是这么写的，以示区分。我们可以这么认为：大写G表
示显卡专用，32bit定位高端的版本；而小写g表示为显卡优化，16bit定位低端的版本，本质上与内存颗粒并无区别。
事实上，GDDR3和gDDR3之间也是这种关系，稍后我们会做详细介绍。
GDDR源于DDR，GDDR2源于DDR2，而GDDR3在频率方面的表现又与DDR3比较相似，于是很多人认为GDDR3就是显存版的DDR3，这可是个天大的误区。
● GDDR3：一代王者GDDR3源于DDR2技术
无论GDDR还是GDDR2，由于在技术方面与DDR/DDR2并无太大差别，因此最终在频率方面GDDR并不比DDR高太多。在经历了GDDR2的失败
之后，两大图形巨头NVIDIA和ATI对JEDEC组织慢如蜗牛般的标准制订流程感到越来越失望，认为他们制定的显存不能适应GPU快节奏的产品更新换
代周期，于是NVIDIA和ATI的工作人员积极参与到了JEDEC组织当中，以加速显存标准的起草及制定。
双方一致认为，显存与内存在数据存储的应用方面完全不同，在内存核心频率(电容刷新频率)无法提升的情况下，单纯提高I/O频率来获得高带宽很不现实。因
此，必须要有一种针对高速点对点环境而重新定义的I/O接口。于是GDDR3诞生了，这是第一款真正完全为GPU设计的存储器。
GDDR3和GDDR2/DDR2一样，都是4Bit预取架构，GDDR3主要针对GDDR2高功耗高发热的缺点进行改进，并提升传输效率来缓解高延迟的负面影响。点对点DQS，读写无需等待
GDDR2只有一条数据选择脉冲（DQS ），是单一双向的，而GDDR3则拥有读与写两条独立的DQS，而且是点对点设计。这样做的好处在于，在读取之后如果马上进行写入时，不必再等DQS的方向转变，由此实现读写操作的快速切换。
相比GDDR2/DDR2，GDDR3的读写切换动作可以少一个时钟周期，如果需要对某一个连续的区块同时读写数据时，GDDR3的速度就要比GDDR2快一倍。
由于存储单元自身的特性，内存颗粒的逻辑Bank是无法同时读写数据的，并不存在“全双工”一说，但GDDR3的这项改进让顺序读写成为可能。GPU本身
缓存很小，与显存之间的数据交换极其频繁，读写操作穿插进行，因此GDDR3点对点设计的DQS可以让显存存储效率大增。但对于CPU来说，读写切换并不
如GPU那么频繁，而且CPU拥有大容量的二三级缓存，所以GDDR3这种设计并不能极大的提升内存带宽，也没有引入到下一代DDR3当中。
改进I/O接口，简化数据处理，控制功耗
同时GDDR3也对I/O控制电路和终结电阻进行了修改，它不再沿用GDDR2的“推挽式（Push
Pull）”接收器，而将其改为虚拟开极逻辑方式（Pseudo Open Drain
Logic），并且通过将所有的三相数据信号转移到本位电路上，来简化数据处理，将DC电流压至最小，只有当逻辑LOW移至总线上时才会消费电力，从而很
好的控制了功耗和发热。
GDDR3的频率能达到现在这么高，其实并没有什么诀窍，凭借的就是不断改进的工艺制程，来暴力拉升频率。资历稍老点的玩家应该知道，GDDR3于
2004年初次登台亮相时，6600GT的显存频率仅为1GHz，并不比GDDR2高，5年过去了，GDDR3从1GHz一路攀升至2GHz甚至
2.5GHz，生命力得到了延续。
明白了GDDR3的原理技术后，再来看看实物。GDDR3和GDDR1类似，也有两种封装形式：
● 144Ball MBGA封装，为了向下兼容GDDR和GDDR2
最初的GDDR3采用了144Ball MBGA封装，这与GDDR和GDDR2第一版完全相同，外观也是正方形，三者的电气性能相似，支持GDDR3的GPU也可使用GDDR显存，PCB和电路只需做少量调整。
三星2.0ns 8M×32Bit GDDR3颗粒
144Ball封装的GDDR3只有8M×32Bit一种规格，所以8颗显存组成256MB 256Bit、或者4颗显存组成128MB 128Bit是当时的主流。5700Ultra就首次使用了GDDR3取代了GDDR2。
144Ball封装的GDDR3主要有2.0ns(1000MHz)和1.6ns(1250MHz)两种速度，1.4ns良率不高产量很小，最高频率止步
于1400MHz。曾被7800GTX/GT、6800GS、6600GT、X850/X800/X700等显卡大量采用。由于144Ball封装及
PCB电路限制了其频率的提升，很快GDDR3就改用了电气性能更好的136Ball FBGA封装。
● 136Ball FBGA封装，频率容量节节攀升
为了提高电气性能和环保水平，从2005年开始，GDDR3开始采用全新的136Ball FBGA封装，并统一使用无铅封装工艺。新封装使得显卡PCB必须重新设计，但也为GDDR3的腾飞铺平了道路。
三星0.8ns GDDR3显存 16M×32Bit规格
136Ball封装GDDR3的优势如下：规格不再局限于8M×32Bit一种，16M×32Bit成为主流，目前32M×32Bit已大量采用；伴随着制造工艺的进步，额定电压从2.0V进一步降至1.8V，但一些高频颗粒可适当加压；速度从1.4ns起跳，经过1.2ns、1.1ns、1.0ns一路发展至0.8ns、0.7ns，最快速度可突破2500MHz，但这是以牺牲延迟为代价的，好在GPU对延迟不太敏感；
当GDDR3的频率首次达到2000MHz时，很多人都认为离极限不远了，于是未雨绸缪的抓紧制定GDDR4规范，但没想到在DRAM厂商的努力及新工艺
的支持下，GDDR3的生命得到了延续，0.8ns
0.7ns的型号相继量产，而且容量更大的32M×32Bit颗粒也成为主流，基本上能够满足高中低端所有显卡的需要。
当前速度最快0.77ns GDDR3显存颗粒，理论频率可达2600MHz
GDDR最高可达900MHz，核心频率和I/O频率止步于450MHz。经过5年时间的发展，GDDR3凭借新工艺终于在核心频率和I/O频率方面取得
突破，核心频率可达600MHz以上，I/O频率超过1200MHz，此时过高的I/O频率成为了新的瓶颈。
GDDR3采用了DDR2的4bit预取技术，所以采用DDR3
8bit预取技术的显存只能按顺序命名为GDDR4。GDDR4是在GDDR3的基础上发展而来的，它继承了GDDR3的两大技术特性，但内核改用
DDR3的8bit预取技术，并加入了一些新的技术来提升频率。
GDDR4的技术特性：使用DDR3的8bit预取技术，以较低的核心频率达到更高带宽，但延迟增加；采用数据总线转位技术（DBI，Data Bus Inversion，下**详细介绍），提高数据精度，降低功耗；地址线只有GDDR3的一半，多余线用于电源和接地，有利于提升频率，但导致延迟增加；采用多重同步码（Multi-Preamble）技术，解决了GDDR3存在的爆发限制（Burst LimitATIon），从连续地址读取少量数据时的性能大幅提升；电压从1.8V降至1.5V；同频功耗下降75%，2400MHz的GDDR4功耗只有2000MHz GDDR3的一半；采用136Ball FBGA封装，单颗32Bit，向下兼容GDDR3；
GDDR4的确更好超，但性能提升有限
由于采用了8bit预取技术，因此在相同频率下GDDR4的核心频率（即电容刷新频率）只有GDDR3的一半，理论上来讲GDDR4最高频率可达
GDDR3的两倍。但值得注意的是，虽然核心频率通过8bit预取技术减半，但GDDR4与GDDR3的I/O频率是完全相同的，因此GDDR4频率提升
的瓶颈在于I/O频率而不是核心频率。
由于制造工艺和技术水平的限制，虽然三星官方宣称早已生产出3GHz以上的GDDR4，但实际出货的GDDR4只有2GHz-2.5GHz，此后改进工艺的GDDR3也追平了这一频率。在相同频率下，GDDR4比起GDDR3虽然功耗发热低，但延迟大性能稍弱，再加上成本高产量小，GDDR4遭受冷落并不意外。
● 导致GDDR4失败的非技术方面原因
GDDR3是NVIDIA和ATI参与JEDEC组织后共同制定的显存标准，而GDDR4在标准制定过程中双方产生了较大的分歧。NVIDIA较为保守，
认为应该保持DDR2 4bit预取技术不变，继续改进I/O控制器来提升频率；而ATI则比较激进，准备直接使用DDR3 8bit预取技术。
方争执的结果就是在JEDEC组织中德高望重的ATI获胜（据称ATI有位高层在JEDEC身居要职），而NVIDIA则明确表示不支持GDDR4。因此
GDDR4其实就是ATI一手策划的，但得不到NVIDIA支持的话，GDDR4立马就失去了6成以上的市场，由此导致DRAM厂不敢贸然投产。
最终只有三星一家生产了少量的GDDR4显存，其他厂家都在观望。当然其他DRAM厂商都没闲着，它们把精力都投在了深挖GDDR3的潜力当中，于是我们
看到了GDDR3的频率节节攀升，GDDR4在没有成本优势的情况下，也没有频率优势，恰好当时的几代A卡更没有性能优势，GDDR4自然只有死路一条。
只有ATI生产过搭载GDDR4的显卡，数量虽然不多但横跨了三代产品：X1950XTX、HD2600XT和HD3870(也包括对应的专业卡)——与
当年NVIDIA使用GDDR2的显卡数量相等。NVIDIA在遭遇滑铁卢后果断放弃了GDDR2，而ATI对于GDDR4则是难以割舍，三年时间三代产
品都有使用，但一直都是非主流。
GDDR4的失败并不是技术原因，和当年的GDDR2相比它要成熟很多，没推起来的原因主要是对手太强：ATI的对手NVIDIA很强大，另外GDDR4的对手GDDR3生命力太顽强了。
即便使用了8bit预取技术，可GDDR4还是没有与GDDR3拉开频率差距，因为瓶颈在I/O控制器上面而不是内核，而GDDR5就是用来解决这一瓶颈的。
● GDDR5：恐怖的频率是如何达成的
和GDDR4一样，GDDR5采用了DDR3的8bit预取技术，核心频率显然不是瓶颈，如何提升I/O频率才是当务之急。但GDDR5并没有让I/O频率翻倍，而是使用了两条并行的DQ总线，从而实现双倍的接口带宽。
GDDR5各项总线工作频率示意图
双DQ总线的结果就是，GDDR5的针脚数从GDDR3/4的136Ball大幅增至170Ball，相应的GPU显存控制器也需要重新设计。GDDR5
显存拥有多达16个物理Bank，这些Bank被分为四组，双DQ总线交叉控制四组Bank，达到了实时读写操作，一举将数据传输率提升至4GHz以上！
以往GDDR1/2/3/4和DDR1/2/3的数据总线都是DDR技术(通过差分时钟在上升沿和下降沿各传输一次数据)，官方标称的频率X2就是数据传
输率，也就是通常我们所说的等效频率。而GDDR5则不同，它有两条数据总线，相当于Rambus的QDR技术，所以官方标称频率X4才是数据传输率。比
如HD4870官方显存频率是900MHz，而大家习惯称之为3600MHz。
失败乃成功之母，冒险使用GDDR5助RV770挑战GTX200
GDDR4的失败并没有阻挡ATI前进的脚步，在意识到GDDR4频率提升的瓶颈之后，GDDR5草案的制定就被提上日程，ATI和NVIDIA技术人员
重新聚首，开展第二次合作共商大计。GDDR5吸取了前辈们的诸多优点，可谓是取其精华弃其糟粕，在I/O改进方面双方也不再有太多矛盾。
技术方面的问题不难解决，最难的是时间和进度。ATI在R600上面冒险使用512Bit显存控制器来提升显存带宽，结果输得一败涂地，于是RV670只
好回归256Bit，导致性能原地踏步。而GDDR4相比GDDR3没有频率优势，因此ATI迫切的需要GDDR5迅速投产以满足新一代GPU的需
要，RV770只有256Bit，急需高频显存的支持。
对手NVIDIA对于GDDR5当然很感兴趣，但却一点都不着急，保守的NVIDIA决定坚守GDDR3，GTX200核心使用了512Bit显存控制器
来提升带宽。比起R600的环形总线，NVIDIA从256Bit到384Bit再到512Bit一步一个脚印走出来的交叉总线显然更加成熟。
以256Bit对抗512Bit，ATI只能将筹码全部押在GDDR5身上，于是在GDDR5标准尚未完全确立之前，ATI已经在紧锣密鼓的测试性能，并
督促DRAM厂投产。可以说GDDR5和GDDR2/4一样也是个早产儿，但失败乃成功之母，有了完善的技术规格和制造工艺的支持，GDDR5一出世便令
人刮目相看。
凭借GDDR5翻倍的数据传输率，HDBit将448Bit的GTX260挑落马下，迫使NVIDIA通过降价、提升规格、改进工艺等诸多手段来反击。128Bit的HD4770性能也完胜256Bit的9600GT并直逼9800GT。
GDDR5在GDDR3/4优秀特性的基础上，还有诸多改进和新特性，下面就对它们进行详细分析。
数据和地址总线转位技术：信号质量高、功率消耗少
在1Byte数据中的8个值中，如果超过一半的数值是0，那么GDDR5就会自动执行转位传输，把0变成1、1变成0，通过1个附加的DBI(数据总线转位值)来判定数据流是正位还是反位。GDDR5的这项技术是从GDDR4继承发展而来的。
DRAM在传输数据时，只有0会消耗电能，减少0的传输数量，既能保证信号质量，也能减少内部终结电阻和外部终结电路的功率消耗。GDDR5的地址总线也使用了类似的技术，通过额外的ABI通道来转位数据流，从而较少信号噪声，并降低功耗。智能的可编程I/O控制接口：简化PCB设计和成本
GDDR5对I/O控制器做了很多改进，加入了全新的自动校准引擎，保证GDDR5显存颗粒更好的适应GPU显存控制器的需求，确保数据传输稳定可靠。
自动校准引擎可以监控电压和温度变化，通过校验数据输出驱动器导通电阻与ODT终结电阻值来作出补偿，数据、地址、指令终结电阻都可以被软件或驱动控制。
GDDR5的针脚更多，但布线更简洁
此外GDDR5还能支持时间延迟和信号强度调整，灵活的协调数据同步，以往通过“蛇形走线”平衡延迟的方法彻底成为历史，GDDR5没有这种顾虑，因此能极大的简化PCB布线和成本，并有利于冲击更高频率。数据遮盖技术：减轻数据总线压力
GDDR5的Burst Length（对相邻存储单元连续进行数据传输的周期数）是8bit，也就是说GDDR5颗粒一次至少要传输256bit数据，但很多时候并不是所有的数据都需要被改写，导致无效的数据传输。
为此，GDDR5使用了一项数据遮盖技术，通过地址线传输保护信息，所有被保护的数据在传输过程中就不会被改写，只有暴露的数据才会被写入新的数据。如此以来，GDDR5的数据线压力减轻不少，功耗发热也得到进一步控制。误差补偿技术：提高传输效率，避免灾难性错误
为了保证数据在高速传输过程中的有效性，GDDR5新增一项错误侦测与修正技术。GDDR5使用了成熟的CRC（循环冗余校验），通过DQ和DBI总线，实时检查错误，第一时间重新发送数据。
这项技术对于高频率传输数据尤为重要，它能有效的减少数据传输错误导致系统崩溃的概率，大幅减少了由超频或高温导致的一系列问题，而且能够一定程度上提升数据传输效率。折叠模式：32bit颗粒当作16bit用
GDDR5作为高端显卡专用的显卡，只有32bit的颗粒。由于GDDR5拥有两条并行的数据总线，这就使得GDDR5的工作模式变得更加灵活，它既可以
工作在32bit模式下也可以工作在16bit模式下。这样一个32bit显存控制器就可以控制两颗GDDR5显存，显存容量可以轻松翻倍。
其实，GDDR3/4都可以通过这种方式扩充显存容量，但原理则完全不同。此前必须GPU的显存控制器在设计时支持双Bank模式才能支持更多的显存颗
粒。而现在，8颗GDDR5显存总计256bit可以直接被128bit的GPU使用，从而简化了显存控制器设计，HD4770就是很好的例子。
之前我们分析过，TSOP封装的GDDR1还有gDDR2显存，其实在技术上与DDR1/2内存没有本质区别，高位宽(16bit)的内存颗粒可以直接当
作显存使用。随着DDR3颗粒大量投产，成本接近DDR2，于是在DDR3内存取代DDR2的同时，也将顺便取代老旧的gDDR2。
gDDR3：把内存颗粒改装成显存用
以目前的情况来看，DDR3比gDDR2频率高很多，但成本比GDDR3要低，所以gDDR2被取代是板上钉钉的事。AMD率先将DDR3使用在了显卡上，随后得到了业界的一致认可。
为了和DDR3内存颗粒区分，DRAM厂将其称为Graphics DDR3
SDRAM，简写为gDDR3，和DDR3内存颗粒一样都是8bit预取技术，单颗16bit，定位中低端显卡；而传统的GDDR3则是Graphics
GDDR3 SDRAM的简写，它和DDR2内存一样采用了4bit预取技术，单颗32bit，定位中高端显卡。
可以看出，在高端GDDR5将会取代GDDR3，而低端gDDR3将会取代gDDR2，中端则会出现三代共存的局面。虽然gDDR3单颗位宽只有
GDDR3的一半，但存储密度却是GDDR3的两倍，而且在相同频率下(比如2000MHz)，gDDR3的核心频率是GDDR3的一半，因此功耗发热要
低很多。对于位宽不高的中低端显卡来说，gDDR3大容量、低成本、低功耗发热的特性简直相当完美！
上图就是现代官方网站列出的gDDR3和GDDR3两种显存的规格参数表，注意它们的全称，是否有"G"，真的是差之毫厘谬以千里。
gDDR3源于DDR3，技术特性上没有区别，主要在封装上面。gDDR3作为对显卡优化的版本，单颗16bit FBGA
96Ball封装；而DDR3多为单颗4/8bit，封装是78/82Ball。也有少数DDR3使用了16bit FBGA
96Ball封装，由于位宽太大仅用于特殊场合。
在前文的内存部分，关于内存颗粒的位宽、通道、Bank等做了一些介绍，这些技术参数对于显存同样适用，但显存也有自己的一套规格定义，下面就逐一介绍：
● 规格：16M×32Bit是什么意思？
当您浏览网站或者查看显卡规格时，往往都会看到类似“某某显卡使用了4颗16M×32Bit的GDDR3显存”这样的文字，这其中16M×32Bit就是该显存颗粒的主要规格，是国际统一的命名标准，可以到存储厂商官方网站上查到。
16M×32Bit中，16M表示显存存储单元的容量为16Mbit，32Bit是单颗显存的数据位宽，这种标称不容易理解，需要经过换算才能得到符合我们使用习惯的规格。
● 容量：单颗显存容量＝存储单元容量×数据位宽/8
以最常见的16M×32bit GDDR3显存为例，16×32/8＝64MB，一颗显存就是64MB的容量，那么这块显卡用了4颗显存就组成了256MB。
很多人可能会纳闷上面的公式中为何要除以8，因为官方规格中的16M的单位是Megabit（兆位）而不是MegaByte（兆字节），它两之间的换算需要除以8。
● 速度：显存理论频率＝1000/时钟周期×2
大家常说某某显卡采用了1.4ns颗粒，另一个显卡用了更快的1.2ns颗粒，超频更猛等等……这个1.2ns就是显存的时钟周期，同样的我们需要换算成更容易理解的数字。
套用以上公式，我们来算算主流规格显存的理论频率是多少：
2.0ns颗粒＝×2＝1000MHz＝1.00GHz
1.6ns颗粒＝×2＝1250MHz＝1.25GHz
1.4ns颗粒＝×2＝1429MHz≈1.40GHz
1.2ns颗粒＝×2＝1667MHz≈1.65GHz
1.1ns颗粒＝×2＝1818MHz≈1.80GHz
1.0ns颗粒＝×2＝2000MHz＝2.00GHz
0.8ns颗粒＝×2＝2500MHz＝2.50GHz
为什么要乘以2，因为DDR系列存储颗粒属于双倍传输，在工作频率和数据位宽相同的情况下，显存带宽是SDRAM的2倍，因此大家习惯于在基础频率上乘2，超高的频率确实比较好看。
● 位宽：显存位宽＝单颗显存数据位宽×显存数量
这个不难理解，比如显卡使用了4颗16M×32bit GDDR3显存，那么位宽就是32bit×4＝128bit。需要注意的是，并非所有情况下这个公式都成立，除了显存数量之外，GPU显存控制器的位宽决定了显卡位宽上限。
低端显卡核心拥有128Bit显存控制器，因此4颗GDDR3显存就能满足位宽需求，即便PCB上集成了8颗显存，显卡位宽依然是128bit。如果是中端显卡的话，8颗显存正好是256Bit，与核心相吻合。
● 带宽：显存带宽＝显存位宽×显存工作频率/8
单纯看显存位宽意义并不大，最终影响显卡性能的其实是带宽。我们可以把带宽比作是马路的车行流量，显然马路越宽（显存位宽），车速越高（显存频率），最终的带宽就越高。
以GTX260为例，显存频率2GHz，位宽448bit，计算所得带宽就是112GB/s。除以8的原因还是因为bit和Byte之间的换算。
带宽是显存速度的最终衡量，有些显卡的显存频率高，但是位宽低，最典型的就是使用GDDR5显存的HD4870，位宽256bit但频率高达3600MHz，最终计算得带宽就是115GB/s，和GTX260相当。
● SDR+DDR1/2/3和GDDR1/2/3/4/5全系列规格参数汇总：
● 显存引领DRAM发展，未来内存将以显存为蓝本开发
纵观近年来内存与显存的发展，就会发现显存的发展速度已经远远超越了内存，显存带宽几乎达到了内存带宽的10倍之多，而且这个差距还在不断的加大。目前三通道DDR3已经足够桌面CPU用好一阵子了，而GPU对显存带宽的渴求似乎是个永远都填不满的无底洞。
正因为如此，显存逐渐脱离了内存的发展轨迹，在经过几次并不成功的尝试之后，从内存的配角/附属品，开始走向了反客为主的道路。GDDR2提前DDR2近两年、GDDR4提前DDR3一年多，虽然都以失败而告终，但却为GDDR5的成功打下了坚实的基础。
在内存领域，如今DDR3才刚刚站稳脚跟，至少将统治PC两至三年，但DDR4的标准已经在积极制定当中，而其技术规格将会以GDDR5为蓝本——也就是
说保持DDR3 8bit预取技术不变，改进I/O控制器，个中原因相信认真阅读了本文的朋友们应该知道吧：说白了，高端用剩的技术又转到低端了。
直播？马克
说白了，ddr3效能比gddr3低一半，超频能力低不少。导致带宽跟不上，显卡核心因为带宽不够而导致无法完全发挥。
不清楚，反正一个显存一个内存
GDDR5能否当做内存给cpu使用？现在的cpu中也集成了gpu。
颗粒 位宽和载体都不同的
学习了 ！！！！！！！！
我草，那么长
登录百度帐号