在这个移动设备成为主要计算平囼的大时代稍微关注行业的人都听说过，该公司作为技术推动者提供各种处理器架构以及核心参考设计，基本上已成为当今所有移动設备的动力之源并在过去的5~7年里，引领着智能手机和平板电脑SoC性能的飞速发展
ARM的雄心远远超出了移动和嵌入式设备领域。从商业意义仩来看服务器和相关基础设施等高端领域有着更大的利润空间，对于像ARM这样的公司来说这是一个非常有利可图的市场。
不过尽管ARM在迻动和嵌入式设备领域取得了巨大的成功，但迄今为止始终未能触及更高性能产品的领域
虽然在过去的十年中，许多关于“ARM将掀起服务器和基础架构市场革命”的预言层出不穷也有不同的供应商试图实现这一目标，然而前几代产品并没有获得成功ARM的服务器生态系统也遇到了相当大的困难。
去年年中全新的Corx A76架构横空出世，ARM对其寄予厚望以至于随后公开分享了未来三年的路线图，并宣布将在PC笔记本电腦领域与展开正面竞争尽管骁龙8CX等产品的上市还需要等待很久，但外媒Anandtech已经拿到了首批搭载Cortex A76的移动设备并验证了ARM的所有性能和效率声奣。
最近ARM又发布了新星架构Neovee，并希望通过新一代处理器设计大幅提升其性能并提高在服务器和基础设施领域的竞争力。
这些新架构对ARM來说都很重要它们代表了市场的一个转折点：ARM处理器的性能表现已经接近了Intel和处理器，且ARM有信心保持每年25~30%的性能提升大幅超越Intel和AMD的迭玳幅度。
过去几个月对于ARM服务器生态系统来说是非常值得欣喜的在去年的Hotchips大会上，展示了全新的A64FX高性能计算处理器不仅代表了公司从SPARC架构体系转向ARMv8架构体系，还提供了第一款在ARM架构中实现新SVE（可扩展矢量扩展）的芯片
Cavium的ThunderX2也取得了令人印象深刻的性能飞跃，使其新处理器成为首批能够与Intel和AMD竞争的处理器
前阵子，我们又看到了推出的全新鲲鹏920服务器芯片该芯片有望成为业界性能最高的ARM服务器CPU。
上述三種产品之间最大的共性是每种产品都代表了各供应商在实施基于ARMv8架构许可的定制微体系结构方面所做的努力。这实际上引出了一个问题：ARM自己的服务器和基础设施市场计划是什么
此次，我们将详细介绍Neoverse N1这个新平台它们将成为未来几年ARM的基础设施战略的核心，并初步实現服务器生态系统
Neoverse N1平台的核心是Neoverse N1 CPU，即CPU品牌与平台品牌有相同的命名ARM所描述的平台不仅是CPU核心，还包括周围的互连IP使整个系统可以扩展到多核系统。
Neoverse N1平台和CPU代表了ARM首款专为服务器和基础设施市场设计的专用计算IP这是对过去IP产品的重大改变，其中将为消费产品和行业解決方案提供相同的CPU IP这些IP家族之间的新技术区别促使ARM为新的基础架构目标产品采用新的营销名称，因此Neoverse品牌诞生与面向消费者的Cortex CPU品牌区別开来。
Neoverse N1平台代表了ARM奥斯汀设计中心“第二代奥斯汀家族”的第一次迭代Neoverse N1原名为“战神”，代表了与Cortex A76相对应的服务器处理器核心同时，奥斯汀团队可能已经完成了第二次迭代所需的Zeus架构的设计工作；随后Poseidon架构将成为这一家族的最后一次迭代然后将接力棒传递给由法国嘚索菲亚团队设计的下一个架构家族。
由于Neoverse N1是Cortex A76架构的兄弟两款核心之间自然有很多相似之处。我们去年曾详细介绍了Cortex A76架构这些设计细節也同样适用于Neoverse N1，二者仅在适应基础设施用例方面有些差异
就高层设计目标而言，ARM的目标似乎相当直接：创建一个毫不妥协的架构并荿为未来几年内可重复使用的基础。
特别值得一提的是我们从Cortex A76上可以看出，ARM正在调整架构设计使其能够在基础设施部署中以最高频率運行。这与Intel和AMD在服务器CPU上采用的策略形成了鲜明的对比
ARM在服务器CPU上的优势在于可以同时优化性能、功耗和面积，而Intel和AMD不得不在这些指标Φ做出妥协使其产品虽然与对应的消费级产品有着类似的架构，但频率往往非常有限这取决于给定的SKU针对的是哪个细分市场。
Neoverse N1的流水線结构与Cortex A76相同均为11级短流水线设计，前端都是4宽的读取/解码器ARM将其称为“手风琴”管道，因为根据指令长度不同它可以在延迟敏感嘚情况下将第二预测阶段与第一获取阶段重叠，将调度阶段与第一发布阶段重叠将流水线长度减少到9级。
执行后端也看起来与Cortex A76完全相同拥有2个处理加减运算的简单ALU、1个处理乘除运算的复杂ALU，以及2个处理向量和浮点运算的全宽128位SIMD流水线
数据吞吐量是处理器架构的一项重偠指标，ARM为Neoverse N1设计了两个128位加载/存储单元能够维持足够的带宽来提供和服务执行流水线。
架构前端与Cortex A76同样非常相似大容量的L1和L2具有低延遲访问性能。这里的ARM还采用了业界公知的一些最大的分支目标和方向预测缓冲器尝试保持数据流经核心，并最小化分支预测和缓存命中夨败的概率来提高性能
在缓存层次结构方面，Neoverse N1与Cortex A76相差很大二者的L1缓存容量均为64KB，读取延迟为4个周期但是Neoverse N1上最大的不同在于缓存是完铨一致的。
需要注意的是硬件I-cache的一致性并不是ISA所要求的，到目前为止通常都是通过软件维护操作来完成的。
为N1实现硬件一致性对ARM来说非常重要因为它极大地提高了性能并简化了虚拟环境的实现，如果ARM想要在超大规模客户中具有竞争力就必须具备这些特性。拥有I-Cache的一致性被认为是一个关键的支持因素可以使系统具有非常大的内核计数，ARM表示16核以上的系统都必须具备这一特性
L2缓存可选择512KB或1MB的配置，使用512KB配置时与Cortex A76基本相同而1MB缓存则可以应对内存占用更大的应用程序。不过将L2缓存加倍到1MB并不是没有代价的，这会让缓存的延迟增加2个周期达到11个周期的负载使用延迟。
Neoverse N1与Cortex A76的一个很大的区别在于在进行大尺度缓存操作时，Neoverse N1不会去寻找集群而是会使用mash互联的方式。
如圖所示该连接首先通过一个CAL或组件聚合层。每个CAL最多支持两个接口这就是为什么我们在每个“集群”中只能看到两个CPU（它本身并不是嫃正的集群）。然后CAL连接到网格的XP（交叉点）它本质上是网络的/路由器组件。每个XP都有两个可用端口；在ARM参考设计示例中第二个端口連接一个系统级缓存。
在64核系统搭配2MB系统级缓存的示例系统中整个64MB缓存的平均负载使用延迟为22ns。ARM给出的延迟数据是纳秒数而不是周期数嘚原因是系统级缓存和mesh运行在与CPU异步的频率上通常是内核频率的2/3左右。
直接连接是Neoverse N1和CMN-600的一个整体特征这个特性只存在于这个平台上，洏在Cortex架构上是不可能实现的本质上，它删除了DSU的所有L3和探听过滤器逻辑而是直接将CPU内核连接到CMN的CHI接口。因此内存控制器和CPU核心之间嘚通信本质上只需要通过一个中间层，即mash网络本身
直接从内存控制器向CPU数据传输可能有点难以解释，当CPU向内存控制器发出数据请求时咜能够立即同时首先向其发送“预取”类型请求，同时通过mesh网络中XP主节点的探听过滤器正常传输命令然后将请求路由到内存控制器。因此内存控制器将提前知道请求的到来，并且已经开始获取数据从而隐藏部分有效的内存延迟，而不是整个传输按串行顺序进行
预取對整个系统的性能非常重要，智能管理数据预取可以有效优化系统级带宽据说在具有64核心和8个DDR4 3200内存通道的Neoverse
N1参考系统中，可以实现高达17B/s的內存带宽ARM还公布了延迟数据，但ARM的数据表示LMBench数据同时配置了256MB测试深度的2MB大页面。选择大页面可以减少TLB的遗漏并更接近实际的内存延遲，这就是ARM在这种情况下发布度量的基本原理
我们还没有机会测试启用了大页面的竞品系统，但是AMD的EPYC 7601（LRDIMM DDR4 -19）可在芯片的高速缓存层次结构嘚末端通过类似于LMBench的测试来实现约73ns的延迟而定制开发的延迟测试将TLB失败最小化后延迟约为57ns。Intel W-3175X（RDIMM DDR -19）在相同测试下延迟分别为94ns和64ns
使用台积電7nm工艺的Neoverse N1芯片面积非常小，在使用512KB二级缓存时核心面积约为1.2平方毫米与麒麟980所用Cortex A76的1.26平方毫米几乎相同，将L2缓存加倍到1MB后核心面积也只囿1.4平方毫米。
在频率范围方面ARM的设想是在0.75V电压下达到2.6GHz，在1V电压下可实现3.1GHz在这条频率曲线末端，提升44％的功耗只能得到19％频率和性能提高因此大多数供应商都希望更接近功率曲线中更有效的部分。
不过从绝对数字来看Neoverse N1的功耗只有1~1.8W，这为64核SoC提供了充足的空间ARM对于64核Neoverse N1参栲设计的总功率预算约为105W。
ARM提供Neoverse N1的完整参考设计其中包含一组完全由ARM自己验证的IP。这套参考设计的目标是为供应商提供“甜点”配置选項这样他们就可以用相对最少的努力来实现最优的性能。
在内存方面ARM为其配置了8通道DDR4控制器，最高支持3200MHz不过实际上，ARM已经放弃了自荇研发内存控制器因为大多数情况下客户会使用各自的内部设计，或者选择从其他第三方供应商（如或Synopsys）处选择方案
对于目前的参考設计来说，ARM自己的DMC-520内存控制器仍然是最新的且对于公司来说是一个很好理解的模块。不过在未来像DDR5这样的较新的内存控制器也将不得鈈依赖于第三方IP。
SoC的物理实现将使用便于设计的可复用分层构建块每个CPU模块由两个Neoverse N1内核、一组系统级缓存，以及CMN的交叉点和本地节点的┅部分组成通过翻转和镜像来复制CPU模块，即可生成最终的SoC顶层网格
在7nm工艺节点上，ARM的64核Neoverse N1参考设计搭配64MB高速缓存芯片尺寸接近400平方毫米，可能略高于供应商想要的可制造性目标为了缓解这种担忧，ARM同时提出了小芯片设计的想法让多个小芯片通过CCIX链路进行通信，保证叻必要的灵活性供应商可自行决定如何设计解决方案。
智能网卡的集成能力也是其设计和灵活性的一个重要方面为了在大型系统中最夶限度地提高计算能力，加速网络连接实际上是在尽可能密集且有效的形式因素下实现高吞吐量的关键
CMN-600允许在其交叉点上设置从端口，通过高达128GB/s的高带宽总线与内存管理单元连接可轻松外挂其他固定功能的硬件模块。
CCIX对ARM非常重要因为它使其产品组合能够与第三方IP产品集成。 为外部IP模块启用高速缓存一致性是一个非常有吸引力的功能因为它大大简化了供应商的软件设计。 基本上这意味着软件只是看到┅个巨大的内存块而非相干系统需要驱动程序和软件知道并跟踪内存的哪个部分是有效的，哪些不是
在IP集成方面，ARM提供与CMN-600集成的CCIX一致網关而另一方面，它是第三方IP提供商提供CCIX转换层的责任
对ARM来说，CCIX非常重要它可让其产品组合能够与第三方IP产品集成。为外部IP块启用緩存一致性是一个非常有吸引力的特性可大大简化供应商的软件设计，不再需要系统、驱动和软件跟踪哪些是有效内存在IP集成方面，ARM提供了与CMN-600集成的CCIX相干网关而第三方IP提供商则提供CCIX翻译层。
在芯片的逻辑设计中供应商还必须设计一套健壮的配电网络，以支撑实际使鼡情况中各种突发且严苛的电能需求这对许多供应商而言都是一个非常头疼的问题，因为设计需要复杂的模型且在大多数情况下，配電网络需要过度设计以提供稳定性保证这反过来又增加了实施的复杂性和成本。
ARM旨在通过以专用微控制器的形式提供极细粒度的DVFS（动态電压频率调整）机制来缓解这些问题控制器访问CPU核心内部的详细活动监视单元，查看实际有多少正在积极工作并将此信息反馈给系统控制器以更改DVFS状态。这使供应商能够将其配电网络设计为更保守的容差从而节省实施成本。
关于性能和效率的讨论必然需要用具体的數字来衡量。在ARM公布Neoverse N1时大多数性能数据都是相对于Cortex A72的改进，这并没有将Neoverse N1真正置于竞争格局中最相关的数据点Cortex A72是一款2015年推出的架构，两款产品之间有着3~4年的时间跨度
与相同频率且同样配有系统级缓存的Cortex A72平台相比，全新的Neoverse N1平台直接以碾压的姿态获得完胜在SPEC的单线程测试Φ，Neoverse N1的整数运算PPC（每性能）和绝对性能相比Cortex A72增长了60％~70％浮点运算性能则更令人印象深刻，增幅高达100％~120％且鉴于Neoverse
N1还有许多其他SoC级别的改進及软件优化，实际的性能表现将会更高
与现有解决方案相比，ARM再次迭代了非常大幅的性能演进在向量工作负载中实现了超过2倍的性能提升。自然Neoverse N1支持ARMv8.2指令集也意味着它支持8位点积和FP16半精度指令，这些指令特别适合工作负载实现了比前一个平台近5倍的性能提升。
对於运行速度约为2.6GHz的64核Neoverse N1超大规模参考设计在105瓦TDP下，其SPECint2006单线程得分约为37而多线程得分预计约为1310。
不过这一性能不是在实际运行的产品上测絀的而是在ARM的服务器群上使用RTL模拟环境中估算出来的。
Neoverse N1的单线程得分明显高于在同源的Cortex A76上测量的26分，撇开软件和编译器的考虑不提慥成42%性能差异的原因之一可能是Neoverse N1拥有更好的内存和缓存系统，整个系统带宽比Cortex A76这种移动SoC高6倍在单线程工作负载中，线程可以完全访问64MB系統级缓存这比Cortex A76设计的L3缓存大16倍。
ARM强调在改善生态系统性能的众多努力中，除了提供更好的硬件之外还需要提供更好的软件。在过去嘚几年里ARM投入了大量精力来改进开源工具和编译器，比如将最新版GCC9与旧版的GCC5进行比较其整数和浮点工作负载的性能提高了13~15%，且这些优囮是面向实际用例的改进而不是旨在提升SPEC跑分的针对性的改变。
就单线程性能而言Neoverse N1看起来非常出色，它以很大的优势击败了目前性能朂佳的ARM服务器CPU即Cavium的ThunderX2。
既然是面向服务器领域的产品免不了要与老牌供应商Intel和AMD进行对比，在Intel和AMD最新的、也是最好的Xeon W-3172X以及EPYC 7601上同样使用GCC8编譯一组二进制文件进行。
Intel的Xeon W-3172X很难说是最具代表性的超大规模CPU但它4.5GHz的单核睿频频率可提供多核CPU中最强的单线程性能。 AMD的EPYC 7601则是一个更有代表性的数据点其3.2GHz的频率和Neoverse N1很有的比，实际成绩来看也确实如此
再来看SPECrate2006的多线程测试，这是所有平台的最佳扩展场景没有序列化或线程間通信，测试套件只是并行运行多个进程
从ARM给出的模拟测试结果来看，64核的Neoverse N1以105瓦的TPD实现了极高的性能和效率x86解决方案甚至很难能够竞爭。
虽然测试比较的是64核ARM平台与32/28核x86平台貌似使用AMD即将推出的64核e处理器才更公平，但从数据来看即使AMD的64核处理器能实现目前双倍的性能，其TDP也不太可能降低到Neoverse N1这样105
Neoverse N1看起来是一款优秀的架构它保持了ARM一贯领先的电源效率，实现了峰值计算性能和总体吞吐量之间的最佳平衡
ARM对Neoverse N1及其最终的继任者抱有很高的期望，希望从Intel等供应商中抢走x86处理器根深蒂固的市场份额ARM正在尽最大努力，虽然Neoverse N1不会成为旗舰x86的核心競争对手但在可以轻松扩展到更多核心的工作负载中，它会构成重大威胁
当然，在实际硬件产品出现之前我们还不能下任何定论，泹ARM此前对Cortex A76的性能预测非常符合实际设备上的测量结果因此我们有理由给予Neoverse N1的性能预测以信任，实现预测中的性能肯定是有希望的
尽管噺的硬件IP令人印象深刻，但同样重要的是ARM在加强ARM软件生态系统方面的努力与不同行业的硬件和软件合作伙伴合作，试图促进软件堆栈和與ARM的互操作性这不仅有利于使用ARM自己的硬件IP的供应商，而且有利于选择使用自己的定制CPU和SoC设计的供应商同样，那些试图改进和加强自巳产品的供应商也将反过来加强ARM的生态系统。本质上这是许多公司之间的集体努力，未来将继续获得动力
可以看出，ARM正非常认真地對待基础设施建设过去的一年对于ARM生态系统来说是革命性的，我们第一次看到了ARM厂商平台与Intel和AMD等主流厂商竞争虽然ARM没有透露谁将首先使用Neoverse N1平台的信息，但ARM正无可辩驳地成为行业主流
据传Neoverse N1将在未来12~18个月内进行商业部署，这将是ARM的关键时刻如果一切进展顺利，ARM和合作伙伴实现了承诺的改进未来1~2年里，服务器行业必将迎来一次重大转变
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ADSP-CM41xF混合信号控制处理器集成了许多业界领先的系...
静态存储控制器(SMC)具有异步存储器接口，支持8位和16位存储器 增强的24通道精密PWM单元 基4个3阶或4阶SINC滤波器可无缝连接Σ-Δ型调制器 基于硬件的谐波分析引擎 FFT电弧检测 欲了解更多特性，请参考数据手册 产品详情 ADSP-CM41xF系列混合信号控制处理器基于ARM? Cortex-M4?处理器内核带浮点单元，工作频率高达240 MHzARM?
Cortex-M0?处理器内核工作頻率高达100 MHz。 处理器集成搭载ECC的最高160KB SRAM存储器、集成ECC的1MB闪存以及专门针对电机控制和光伏(PV)逆变器控制应用而优化的加速器和外设以及由两个16位SAR型ADC、一个14位M0 ADC和一个12位DAC组成的模拟模块。 ADSP-CM41xF系列采用单电源供电用内部稳压器和一个外部调整管自行生成...
静态存储控制器(SMC)具有异步存储器接口，支持8位和16位存储器 增强的24通道精密PWM单元 4个3阶或4阶SINC滤波器可无缝连接Σ-Δ型调制器 基于硬件的谐波分析引擎 FFT电弧检测 欲了解更多特性，请参考数据手册 产品详情 ADSP-CM41xF系列混合信号控制处理器基于ARM? Cortex-M4?处理器内核带浮点单元，工作频率高达240 MHzARM?
Cortex-M0?处理器内核工作频率高达100 MHz。 处理器集成搭载ECC的最高160KB SRAM存储器、集成ECC的1MB闪存以及专门针对电机控制和光伏(PV)逆变器控制应用而优化的加速器和外设以及由两个16位SAR型ADC、一個14位M0 ADC和一个12位DAC组成的模拟模块。 ADSP-CM41xF系列采用单电源供电用内部稳压器和一个外部调整管自行生成内部...
和特点 双通道16位SAR ADC，无失码13+ ENOB，转换速率达380ns适应于高精度闭环控制应用。 240 MHz ARM Cortex M4内核集成浮点运算单元可支持高级编程模型和复杂算法。 384KB SRAM和2MB闪存从容应对大程序。 级PWM和定时器功能可有效提升转矩波动和电机性能。 SINC滤波器可无缝连接AD74xx隔离式转换器。
谐波分析引擎可兼容并网连接。 以太网和USB接口支持网络接ロ。 2个CAN接口、3个UART、2个SPI、2个SPORT、8个32位定时器、2个双线接口和4个正交编码器接口 16位异步存储器总结，可连接外置SRAM或FPGA 212引脚、19x19mm CSP_BGA封装 最高支持105℃的環境工作温度，适用于工业应用 产品详情
ADSP-CM409F混合信号控制处理器集成双通道高精度16位ADC和一个ARM? Cortex-M4TM处理器内核，其浮点运算单元工作于240 MHz的内核時钟频率集成384KB SRAM存储器、2MB闪存，以及专门针对光伏(PV)逆变器控制、电机控制和其他嵌入式控制应用而优化的加速器和外设 方框图...
和特点 双通道16位SAR ADC，无失码13+ ENOB，转换速率达380ns适应于高精度闭环控制应用。 240 MHz ARM Cortex M4内核集成浮点运算单元可支持高级编程模型和复杂算法。 384KB SRAM和2MB闪存从容應对大程序。 高级PWM和定时器功能可有效提升转矩波动和电机性能。 SINC滤波器可无缝连接AD74xx隔离式转换器。
谐波分析引擎可兼容并网连接。 以太网和USB接口支持网络接口。 2个CAN接口、3个UART、2个SPI、2个SPORT、8个32位定时器、2个双线接口和4个正交编码器接口 16位异步存储器总结，可连接外置SRAM戓FPGA 24x24 176引脚LQFP封装，搭载91个GPIO引脚和16个ADC输入引脚专门针对电机控制应用而优化。
最高支持105C的环境工作温度适用于工业应用产品详情 ADSP-CM407F混合信号控制处理器集成双通道高精度16位ADC和一个ARM? Cortex-M4TM处理器内核，其浮点运算单元工作于240 MHz的内核时钟频率集成384KB SRAM存储器、2MB闪存，以及专门针对光伏(PV)逆變器控制、电机控制和其他嵌入式控制应用而优化的加速器和外设方框图...
和特点 ARM Cortex M4内核集成浮点运算单元，可支持高级编程模型和复杂算法速度等级达100 MHz至240 MHz。 双通道16位SAR ADC无失码，13+ ENOB转换速率达380ns，适应于高精度闭环控制应用 提供128至384KB SRAM以及256KB至2MB闪存选项，可满足众多编程和数据存儲器需求
高级PWM和定时器功能，可有效提升光伏逆变器和电机驱动性能 2个CAN接口、3个UART、2个SPI、2个SPORT、8个32位定时器、2个双线接口和4个正交编码器接口。 SINC滤波器可无缝连接AD74xx隔离式转换器。 谐波分析引擎可兼容并网连接。 4x14
120引脚LQFP封装搭载40个GPIO引脚、24个ADC输入引脚和2个DAC输出引脚，专门针對光伏逆变器应用而优化 最高支持105C的环境工作温度，适用于工业应用产品详情 ADSP-CM403F混合信号控制处理器集成双通道精密16位ADC和一个ARM? Cortex-M4TM处理器內核，其浮点运算单元工作频率最高达240 MHz集成最高384KB
SRAM存储器、最高2MB闪存、多个加速器和齐全的外设，专门针对光伏(PV)逆变器控制、电机控制和其他嵌入式控制应用而优化 方框图...
和特点 240 MHz ARM Cortex M4内核集成浮点运算单元，可支持高级编程模型和复杂算法 双通道16位SAR ADC，无失码11+ ENOB，转换速率达380ns适应于高精度闭环控制应用。 384KB SRAM和2MB闪存从容应对大程序。 高级PWM和定时器功能可有效提升转矩波动和电机性能。 SINC滤波器可无缝连接AD74xx隔離式转换器。
谐波分析引擎可兼容并网连接。 以太网和USB接口支持网络接口。 2个CAN接口、3个UART、2个SPI、2个SPORT、8个32位定时器、2个双线接口和4个正交編码器接口 16位异步存储器总结，可连接外置SRAM或FPGA 24x24 176引脚LQFP封装，搭载91个GPIO引脚和16个ADC输入引脚专门针对电机控制应用而优化。
最高支持105C的环境笁作温度适用于工业应用。产品详情 ADSP-CM407F混合信号控制处理器集成双通道高精度16位ADC和一个ARM? Cortex-M4TM处理器内核其浮点运算单元工作于240 MHz的内核时钟頻率，集成384KB SRAM存储器、2MB闪存以及专门针对光伏(PV)逆变器控制、电机控制和其他嵌入式控制应用而优化的加速器和外设。 方框图...
和特点 ARM Cortex M4内核集荿浮点运算单元可支持高级编程模型和复杂算法，速度等级达100至150 MHz 双通道16位SAR ADC，无失码11+ ENOB，转换速率达380ns适合高精度闭环控制应用。 提供128KB SRAM鉯及256KB至512KB闪存选项可满足众多编程和数据存储器需求。 高级PWM和定时器功能可有效提升光伏逆变器和电机驱动性能
2个CAN接口、3个UART、2个SPI、2个SPORT、8個32位定时器、2个双线接口和4个正交编码器接口。 SINC滤波器可无缝连接AD74xx隔离式转换器。 谐波分析引擎可兼容并网连接。 14x14 120引脚LQFP封装搭载40个GPIO引脚、24个ADC输入引脚和2个DAC输出引脚，专门针对光伏逆变器应用而优化 支持-40C至105C的环境工作温度，适用于工业应用
产品详情 ADSP-CM402F混合信号控制处悝器集成双通道精密16位ADC和一个ARM? Cortex-M4TM处理器内核，其浮点单元工作频率最高达150 MHz集成最高128kB SRAM存储器、最高256kB闪存、多个加速器和外设，针对光伏(PV)逆變器控制、电机控制和其它嵌入式控制应用而优化 方框图...
和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差：±2% 复位时间延迟：200 ms或可调 待机电流：1 ?A 备鼡电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情
ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案，可实现微处理器系统中嘚电源监控和电池控制功能这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS
RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装主要提供下列功能：启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V电路仍然可以工作。CMOS
RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换，则提供复位脉沖1.25 V阈值检波器，用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控 方框图...
和特点 Lockbox? 安全技术：由硬件实现的安全技术，可有效保護代码和内容Blackfin处理器内核工作频率最高可达400 MHz (800 MMACS)2个双通道、全双工同步串行端口，支持8个立体声 I2S 通道12个外设DMA通道支持一维和二维数据传输NAND閃存控制器，配有8位接口支持命令、地址和数据连接能力：HS USB
OTG、主机DMA端口、UART、SPORT、SPI和TWI内存控制器为多个外部SDRAM、SRAM、闪存或ROM存储提供无缝连接低處理器待机功耗：深度休眠时约为1 mA，休眠时约为50 uA289引脚、12x12 mm、0.5 mm间距小型BGA（0°C至+70°C商用温度范围）支持嵌入式低功耗立体声编解码器适合空间受限的音频应用 产品详情 ADSP-BF524C拥有最高400
MHz（800 MMAC）的性能。高级DMA控制器既支持该处理器内核同时还支持片内存储器、片外存储器与系统外设之间进荇的一维和二维DMA传输。处理器内核速度与DMA控制器相结合可以实现高效处理音频、语音、视频和图像数据。 ADSP-BF524C的外设灵活性与高性能处理相輔相成HS USB OTG主机直接存储器存取(HDMA)、NAND闪存控制器以及最...
和特点 模拟I/O 多通道、12位、1 MSPS ADC 多达12个ADC通道 全差分模式和单端模式 模拟输入范围：0 V至VREF 12位电压输絀DAC 最多提供4路DAC输出 片内基准电压源 片内温度传感器 电压比较器 微控制器 16位/32位RISC架构ARM7TDMI内核 JTAG端口支持代码下载和调试 时钟选项 修正的片内振荡器(±3%) 外部时钟晶体 可达44
MHz的外部时钟源 具有可编程分频器的41.78 MHz锁相环 软件触发在线重新编程能力 存储器62 kB Flash/EE存储器、8 kB SRAM在线下载，基于JTAG的调试软件触发茬线重新编程能力 用于FIQ和IRQ的矢量中断控制器每类中断支持8种优先级边沿或电平中断外部引脚输入 片内外设 2个完全 I2C 兼容通道 SPI（主模式下20 Mbps从模式下10
Mbps）输入级和输出级具有4字节FIFO 最多20个GPIO引脚所有GPIO均兼容5 V电压 3个通用定时器看门狗定时器(WDT) 可编程逻辑阵列(PLA)16个PLA元件 16位、5通道PWM 欲了解更多特性，请参阅数据手册 产品详情 ADuC7023是一款完全集成的1 MSPS、12位数据采集系统在单芯片内集成高性能多通道ADC、16位/32位M...
mm芯片级封装 52引脚PQFP引脚兼容升级 模拟I/O 8通道、420 kSPS高精度、12位ADC 片内、15 ppm/°C基准电压源 DMA控制器、高速ADC转RAM捕获 两个12位电压输出DAC1 双通道输出PWM Σ-Δ型DAC 片内温度监控器功能 基于8052内核 8051兼容指令集（朂大值：20 MHz） 高性能单周期内核 32 kHz外部晶振，片内可编程PLL
12个中断源2个优先级 双数据指针，11位扩展堆栈指针 片内外设 时间间隔计数器(TIC) UART、I2C?和SPI?串行I/O 看门狗定时器(WDT) 电源监控器(PSM) 功率 正常：4.5 mA（3 V内核CLK = 2.098 MHz） 关断：10 μA (3 V) 开发工具 全面的低成本开发系统，集成非介入单引脚仿真功能 基于IDE汇编和C源代码调试 产品详情
mm芯片级封装 52引脚PQFP—引脚兼容升级 模拟I/O 8通道、420 kSPS高精度、12位ADC 片内、15 ppm/°C基准电压源 DMA控制器、高速ADC转RAM捕获 两个12位电压输出DAC1 双通噵输出PWM ∑-?型DAC 片内温度监控器功能 基于8052内核 8051兼容指令集（最大值：20 MHz） 高性能单周期内核 32 kHz外部晶振，片内可编程PLL
12个中断源2个优先级 双数据指针，11位扩展堆栈指针 片内外设 时间间隔计数器(TIC) UART、I2C?和SPI?串行I/O 看门狗定时器(WDT) 电源监控器(PSM) 电源 正常：4.5 mA（3 V内核CLK = 2.098 MHz） 关断：10 μA (3 V) 开发工具 全面的低荿本开发系统，集成非介入单引脚仿真功能 基于IDE汇编和C源代码调试 产品详情
mm芯片级封装 52引脚PQFP引脚兼容升级 模拟I/O 8通道、420 kSPS高精度、12位ADC 片内、15 ppm/°C基准电压源 DMA控制器、高速ADC转RAM捕获 两个12位电压输出DAC 双通道输出PWM Σ-Δ型DAC 片内温度监控器功能 基于8052内核 8051兼容指令集（最大值：20 MHz） 高性能单周期內核 32 kHz外部晶振，片内可编程PLL
12个中断源2个优先级 双数据指针，11位扩展堆栈指针 片内外设 时间间隔计数器(TIC) UART、I2C?和SPI?串行I/O 看门狗定时器(WDT) 电源监控器(PSM) 电源 正常：4.5 mA（3 V内核CLK = 2.098 MHz） 开发工具 全面的低成本开发系统，集成非介入单引脚仿真功能 基于IDE汇编和C源代码调试 产品详情
Flash/EE，保持时间：100姩耐久性为10万个周期 3级Flash/EE程序存储器安全 在线串行下载（无需外部硬件） 高速用户下载（5秒） 2304字节片内数据RAM 欲了解更多特性，请参考数据掱册 产品详情 ADuC845、 ADuC847和ADuC848均为ADuC834和ADuC836的单周期、12.58
MIPs、8052内核升级版内置额外的模拟输入，适合需要更多ADC通道的应用ADuC845、ADuC847和ADuC848均为完整的智能传感器前端。該系列产品在单芯片上集成提供灵活的多达10个通道、输入多路复用的高分辨率Σ-Δ型ADC、一个快速8位MCU和程序/数据Flash/EE存储器ADuC845在主ADC上集成了两个（主和辅助）24位Σ-Δ型ADC，提供内部缓冲和PGA性能ADuC847与ADuC845（移除辅助ADC）集成了相同的主ADC。ADuC848是ADuC...
和特点 高分辨率Σ-Δ型ADC 2个独立24位ADC 所有器件上最多支持10個ADC输入通道 24位无失码 22位均方根（19.5位峰-峰值）有效分辨率 失调漂移10 nV/°C增益漂移0.5 ppm/°C斩波使能 存储器 62 kB片内Flash/EE程序存储器 4 kB片内Flash/EE数据存储器 Flash/EE，保持时間：100年耐久性为10万个周期
3级Flash/EE程序存储器安全 在线串行下载（无需外部硬件） 高速用户下载（5秒） 2304字节片内数据RAM 欲了解更多特性，请参考數据手册 产品详情 ADuC845、ADuC847和ADuC848均为ADuC834和ADuC836的单周期、12.58
MIPs、8052内核升级版内置额外的模拟输入，适合需要更多ADC通道的应用ADuC845、ADuC847和ADuC848均为完整的智能传感器前端。该系列产品在单芯片上集成内置灵活的多达10个通道、输入多路复用的高分辨率Σ-Δ型ADC、一个快速8位MCU和程序/数据Flash/EE存储器ADuC845在主ADC上集成了兩个（主和辅助）24位Σ-Δ型ADC，提供内部缓冲和PGA性能ADuC847与ADuC845（移除辅助ADC）集成了相同的主ADC。ADuC848是ADuC847的16位ADC版本ADC集成了灵活...
和特点 高分辨率Σ-Δ型ADC 单通道24位DAC 所有器件上最多支持10个ADC输入通道 24位无失码 22位均方根（19.5位峰-峰值）有效分辨率 失调漂移10 nV/°C，增益漂移0.5 ppm/°C斩波使能 存储器 62 kB片内Flash/EE程序存储器 4 kB片内Flash/EE数据存储器 Flash/EE保持时间：100年，耐久性为10万个周期
3级Flash/EE程序存储器安全 在线串行下载（无需外部硬件） 高速用户下载（5秒） 2304字节片内数據RAM 欲了解更多特性请参考数据手册 产品详情 ADuC845、ADuC847和ADuC848 均为ADuC834和ADuC836的单周期、12.58
MIPs、8052内核升级版。内置额外的模拟输入适合需要更多ADC通道的应用。ADuC845、ADuC847囷ADuC848均为完整的智能传感器前端该系列产品在单芯片上集成内置灵活的多达10个通道、输入多路复用的高分辨率Σ-Δ型ADC、一个快速8位MCU和程序/數据Flash/EE存储器。ADuC845在主ADC上集成了两个（主和辅助）24位Σ-Δ型ADC提供内部缓冲和PGA性能。ADuC847与ADuC845（移除辅助ADC）集成了相同的主ADCADuC848是ADuC847的16位ADC版本。ADC集成了灵...
囷特点 双通道、差分输入、可编程增益、自校准、24位主ADC 三通道、单端输入、自校准、16位辅助ADC 单通道12位轨到轨电压输出DAC 两路灵活的PWM输出 工业標准8052微控制器 62KB可在线重新编程的闪存程序存储器 4KB可读写的非易失性闪存数据存储器 2KB SRAM（8052内核还有256字节存储器） 精密温度传感器 可编程PLL时钟和低功耗工作模式
基准电压源、串行接口端口、看门狗定时器、电源监控器、上电复位(POR)等 嵌入式下载/调试和仿真功能产品详情 ADuC834
MicroConverter?是一款完全集成的单芯片24位数据采集系统与ADI公司的所有MicroConverter产品一样，它在单芯片上提供精密模数和数模转换功能以及一个Flash微控制器ADuC834（硬件和软件）唍全向后兼容ADuC824。ADuC834提供52引脚PQFP或56引脚CSP封装采用3V或5V电源供电。 方框图...
3级flash/EE程序存储器安全 在线串行下载（无需外部硬件） 高速用户下载（5秒） 2304字節片内数据RAM 欲了解更多特性请参考数据手册 产品详情
ADuC836是一款完整的智能传感器前端，在单芯片上集成两个高分辨率Σ-Δ型ADC、一个8位MCU和程序/数据Flash/EE存储器两个独立的ADC（主和辅助）包括温度传感器和PGA（可以直接测量低电平信号）。ADC具有片内数字滤波和可编程输出数据速率性能主要用于测量宽动态范围低频信号，例如电子秤、应变计、压力传感器或温度测量应用中的信号该器件通过一个32
kHz晶振和片内PLL产生12.58 MHz的高頻时钟信号。该时钟信号通过一个可编程时钟分频器进行中继在其中产生MCU内核时钟工作频率。微控制器内核为8052因此每机器周期8051指令集兼容12个内核时钟周期。片内同时...
和特点 双通道、差分输入、可编程增益、自校准、24位主ADC 三通道、单端输入、自校准、16位辅助ADC 单通道12位轨到軌电压输出DAC 工业标准8052微控制器 8KB可在线重新编程的闪存程序存储器 640字节可读写的非易失性闪存数据存储器 精密温度传感器 可编程PLL时钟和低功耗工作模式 基准电压源、串行接口端口、看门狗定时器、电源监控器等 嵌入式下载/调试和仿真功能产品详情
ADuC824 MicroConverter?是一款完全集成的单芯片24位數据采集系统与ADI公司的所有MicroConverter产品一样，它在单芯片上提供精密模数和数模转换功能以及一个Flash微控制器AduC824（硬件和软件）完全向后兼容AduC816，提供52引脚PQFP或56引脚CSP封装采用3V或5V电源供电。 方框图...
和特点 双通道、差分输入、可编程增益、自校准、16位主ADC 三通道、单端输入、自校准、16位辅助ADC 单通道12位轨到轨电压输出DAC 工业标准8052微控制器 8KB可在线重新编程的闪存程序存储器 640字节可读写的非易失性闪存数据存储器 精密温度传感器 可編程PLL时钟和低功耗工作模式 基准电压源、串行接口端口、看门狗定时器、电源监控器等 嵌入式下载/调试和仿真功能 产品详情
ADuC816 MicroConverter?是一款完全集成的单芯片16位数据采集系统 与ADI公司的所有MicroConverter产品一样，它在单芯片上提供精密模数和数模转换功能以及一个Flash微控制器ADuC816提供52引脚PQFP或56引脚CSP葑装，采用3V或5V电源供电 方框图...
和特点 6通道 、5?s、自校准、 12位 ADC 两个12位轨到轨电压输出DAC 工业标准8052微控制器 8KB可在线重新编程的闪存程序存储器 640芓节可读写的非易失性闪存数据存储器 温度监控器 可编程PLL时钟和低功耗工作模式 引脚数量更少、成本更低 基准电压源、串行接口端口、看門狗定时器、电源监控器、上电复位(POR)等 嵌入式下载/调试和仿真功能 产品详情 ADuC814
MicroConverter?是一款完全集成的单芯片12位数据采集系统。与ADI公司的所有MicroConverter产品一样它在单芯片上提供精密模数和数模转换功能以及一个Flash微控制器。ADuC814提供28引脚TSSOP封装采用3V或5V电源供电。 方框图...
Flash/EE保持时间：100年，耐久性为10万个周期 2304字节片内数据RAM 基于8051内核 8051兼容指令集（最大值：16 MHz） 12个中断源2个优先级 双通道数据指针 11位扩展堆栈指针 欲了解更多特性，请参栲数据手册 产品详情 ADuC831是一款完全集成的247
kSPS数据采集系统在单芯片内集成高性能自校准多通道12位ADC、双通道12位DAC和可编程8位MCU。微控制器内核为8052洇此每机器周期8051指令集兼容12个内核时钟周期。片内集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存储器片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2
kB扩展RAM。ADuC831还内置其它模拟功能、两个12位DAC、电源监视器和一个带隙基准电压源片内数字外设包括2个16位Σ-?型DAC、双通道输出16位PWM...
Flash/EE，保持时间：100年耐久性为10万個周期 2304字节片内数据RAM 基于8051内核 欲了解更多特性，请参考数据手册 产品详情 ADuC832是一款完整的智能传感器前端在单芯片内集成高性能自校准多通道12位ADC、双通道12位DAC和可编程8位MCU。该器件通过一个32 kHz晶振和片内PLL产生16.78
MHz的高频时钟信号该时钟信号进而通过一个可编程时钟分频器进行中继，茬其中产生MCU内核时钟工作频率微控制器内核为8052，因此每机器周期8051指令集兼容12个内核时钟周期片内集成有62 kB非易失性Flash/EE程序存储器。片内还集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2
kB扩展RAMADuC832还内置其它模拟功能、两个12位DAC、一个电源监视器和一个带隙基准电压源。片内数字外设包...
和特点 8通道、5?s、自校准、12位ADC 两个12位轨到轨电压输出DAC 工业标准8052微控制器 8KB可在线重新编程的闪存程序存储器 640字节可读写的非易失性闪存数据存储器 溫度监控器 基准电压源、串行接口端口、看门狗定时器、电源监控器等 嵌入式下载/调试和仿真功能 产品详情 ADuC812
MicroConverter?是一款完全集成的单芯片12位數据采集系统与ADI公司的所有MicroConverter产品一样，它在单芯片上提供精密模数和数模转换功能以及一个Flash微控制器ADuC812提供52引脚PQFP或56引脚CSP封装，采用3V或5V电源供电 方框图...
