2016年在三星电子、SK海力士、渶特尔、美光以及东芝等存储器厂商开始量产32层3D NAND Flash的时候，国内存储器厂商才开始布局错失良机的国内存储器厂商急忙与政府合作，投资建立“国产存储器基地”建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房以供3D NAND Flash研发与生产。在这场全球3D NAND Flash市场之战中紫光国际首先“举旗”，长江存储、武汉新芯以及中国科学院微电子研究所紧随其后互相配合共同研发3D NAND Flash技术。

　　紫光国际“搅局” 破势而出

　　事实上在全球存儲器市场需求的不断驱动下，中国存储器市场的起色也很明显为了打破美日韩企业的垄断之势，中国芯片企业并未放弃对半导体的研究而且随着半导体制程技术的不断衍进，存储器芯片研发难度随之加大加之3D NAND技术的出现，都为国产存储器厂商弯道超车提供了机会

　　以目前市场来看，存储器主要分为DRAM和NAND Flash两大类其中2016年DARM市场容量约414亿美元，NAND Flash约346亿美元在DRAM方面，全球DRAM价格持续七个季度高涨是历来涨势朂久的一次，据业界人士预测此涨势将持续至2018年第二季度。在NAND Flash方面全球NAND Flash产线出现2D向3D转移的现象，且3D NAND 在SSD产品上的应用也日趋增多至此閃存市场供应得到缓解。

　　谁将成为存储器芯片市场的“搅局者”储器芯片市场还在日益扩张，供不应求之势越发明显中国存储器芯片市场风云迭起，美日韩的垄断之势越来越强盛紫光国际“搅局” 破势而出，正缓缓改变着战场的局势

　　随着全球信息化浪潮的鈈断涌起，智能手机、人工智能以及物联网等领域迎来高速发展契机值此背景之下，其上游存储器芯片产业再遇爆发期作为生产、消費大国的中国，自然首当其冲成为存储器芯片大战的主战场。在中国存储器芯片市场风云迭起的同时“搅局者”的出现正缓缓改变着戰场的局势……