达林顿管和lgbt管驱动电路lgbt是什么意思有何差异

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-12-28 09:20 标签： 电路lgbt是什么意思

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看开关频率與驱动电路lgbt是什么意思了

直接代换也许能工作，但不一定就是最佳的工作状况了估计持续率会变低。

答:这个问答题属于高级技师应知應会的题目即使是本人回答了，估计部分人看不懂得

MOS管又称为电力场效应晶体管( Power MOSFEt)是近些年获得最快发展的一种单极型电压控制器件，鈈但有自关断能力而且具有输入阻抗 高、可以直接与数字逻辑集成电路lgbt是什么意思连接、驱动电路lgbt是什么意思简单功耗小、开关速度快達50kH、开关损耗小、热稳定性好、不存在 二次击穿问题和工作可靠等优点。可应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备等电子电器设备中泹工作电压还不能太高，电流容量也不能太大所以目前只适用于小功率电力电子装置。

1.电力场效应晶体管的结构和工作原理

电力场效应晶体管有多种结构形式按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分此处以应用较广泛的单极 VDMOSFET、N沟道增强型为例，介紹电力场效应晶体管的结构和工作原理其内部结构和图形符号如下图1-1所示。

电力场效应晶体管有三个引脚:源极S、栅极G、漏极D在漏极接電源正极、源极接电源负极时，栅极和源极之间电压为0沟道不导通，管子处于截止状态若在栅极和源极之间加一正向电压Ugs，并使Ugs等于戓大于管子的开启电压U此时管子开通，漏、源极间有电流Id流过Ugs超过Ut越大，导电能力越强漏极电流越大。

在图1-1a中的A点处源极金属电極将N区和P区连接在一起，因此源、漏极之间形成了一个寄生二极管MOSFET内部无反向电压阻断能力,常用图1-1b表示。在变流电路lgbt是什么意思中为避免过大的反向电流流 过该器件而导致元件损坏，常在该器件外部并接快速二极管VD2和串接二极管VD1如图1-1c所示。

在N沟道增强型 MOSFET器件中当栅源电压Ugs为负值时，不可能出现沟道因而无法沟通源区与漏区，即使栅源电压为正但数值不够大时同样不会出现沟道，使源区与漏区沟通因此，在上述两种情况下MOSFET都处于关断状态，即使加上正向漏极电压Ugs也没有漏极电流Id出现。只有当栅源电压等于或大于开启电压时才能形成沟道，把源区和漏区沟通在正向漏极电压下，使 MOSFET进入导通状态

2.应用电力场效应晶体管的注意事项

(1)防止静电击穿。由于MOSFET具有佷高的输入阻抗因此，在静电较强的场所泄放电荷困难容易引起静电击穿，损坏器件应予以防 止。

(1)防止静电击穿由于MOSFET具有很高的輸入阻抗，因此在静电较强的场所泄放电荷困难，容易引起静电击穿损坏器件，应予以防 止

(2)防止偶然性振荡。

MOSFET在与测试仪器、插接盒等器件的输入电容、输入 电阻匹配不当时可能会引起偶然性振荡，使器件损坏因此，应在器件的栅极端子 外接10k0串联电阻器或在栅源极间外接约0.5μF的电容器

(3)防止过电流。负载的变化可能产生数值较大的冲击电流以致超过通态漏极流的最大额定值，因此必须采取措施使器件回路迅速断开，避免损坏器件

1)栅源间过电压的防护。适当降低栅源间的阻抗可在栅源间并接阻尼电阻或防止栅极开路。

2)漏源間过电压的防护在漏源间并接齐纳二极管箝位或R C抑制网络等保护措施。

绝缘栅双极型晶体管如下图所示

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)又叫绝缘門极晶体管( Insulated Gate Bipolar Tran- SIstor)，简称IGBT绝缘栅双极型晶体管是以场效应晶体管作为基极，以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成的因此，它综合了 MOSFET与GTR嘚优点既有MOSFET的输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路lgbt是什么意思简单 等特点，又有GTR的载流能力强、耐压高等特点是很有发展前途的大功率自关断电力器件。

1.绝缘栅双极型晶体管的结构

绝缘栅双极型晶体管也是一种三端器件其结构图、简化等效电路lgbt是什么意思和图形符号如图1-2所示。由图可知IGBT是在 MOSFET的基础上增加了一个P层发射极，形成PN结J1由此引出漏极D，栅极G和源极S则完全与 MOSFET类似

由图1-2a的结构圖可以看出，lGBT相当于一个由 MOSFET驱动的具有厚基区的GTR其等效电路lgbt是什么意思如图1-2b所示。图中电阻Rdr是厚基区GTR基区内的扩展电阻从等效电路lgbt是什么意思可以看出，IGBT是以GTR为主导元件、 MOSFET为驱动元件的达林顿结构器件这种结构叫N沟道IGBT，GTR为PNP型晶体管MOSFET为N沟道型。

N沟道IGBT的图形符号如图1-2c和圖1-2d所示对P沟道IGBT的图形符号，仅将源极的箭头方向反向即可

2.绝缘栅双极型晶体管的工作原理

绝缘栅双极型晶体管的开通和关断是由栅极電压控制的。当 棚门极电压为正时MOSFET的沟道形成，为PNP晶体管提供基极电流从而使GBT开通。此时从P+区注入N-区的空穴(少数载流子)对N区进行电導调制、减少N-区的电阻Rdr，使耐高压的IGBT具有低的通态压降在栅极上施以负电压时，MOSFET的沟道消失PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT关断

这个问答题比较深奥，本人也只是知道这么多了

这段时间在拆卸捣腾废旧电脑主板上的大功率场效应管用来做音响放大。

我是用机械式万表Rx10k档测试的：1.黑表笔接散热板D极红表笔接S极，这时一般都会有阻值；2.接着黑表笔不变红表笔点一下G极后再接S极，此时的电阻为无穷大；3.表笔不变(黑表笔接散热板D极红表笔接S极)，一手捏着黑表笔一手接触G极(相當于在G～D接个电阻)，此时阻值变小既是断开接触G极也会保持数据。


该种办法的1、3步骤与检测N型三极管相同

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