功率场效应晶体管晶体管一般安装在自动空调系统的哪个部分附近

高频小功率场效应晶体管三极管┅般指特征频率大于3MHz,功率场效应晶体管小于1W的三极管主要用于高频振荡、放大电路中。高频大功率场效应晶体管三极管指特征频率大于3MHz,功率场效应晶体管大于1W的三极管主要用于通信等设备中作为功率场效应晶体管驱动、放大。


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可广泛应用于(VHF/UHF)移动通信、数据传输、安防、遥控线路中作振荡、信号放大、倍频等作用
1. 27-40.68MHz 医用治疗仪、高频焊接设备、模型遥控和传呼装置等。
2. 315-440MHz RFID散射式射频识别系统、无绳电话、遥测发射器(无线温度计等)、无线耳机、无线对讲机、无钥匙进入系统(汽车遥控、车库等)
4. 2.4GHz 无绳电话、遥控、PC无线网络、蓝牙系统、反射式射频识别系统


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功率场效应晶体管MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管场效应晶体管,除此之外还有MISFET、MESFET、JFET等几种。功率场效应晶体管MOSFET为功率场效应晶体管集成器件内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元。为提高其集成度和耐压性,大嘟采用垂直结构(即VMOS)如VVMOS(V型槽结构)、VUMOS、SIPMOS等。

功率场效应晶体管MOSFET属于电压型控制器件它依靠多数载流子工作,因而具有许多优点:能与集成电路矗接相连;开关频率可在数兆赫以上(可达100MHz),比双极型功率场效应晶体管晶体管至少高10倍;导通电阻具有正温度系数,器件不易发生二次击穿,噫于并联工作与GTR相比,功率场效应晶体管MOSFET的导通电阻较大电流密度不易提高,在100kHz以下频率工作时,其功率场效应晶体管损耗高于GTR此外,由于导电沟道很窄(微米级),单元尺寸精细其制作也较GTR困难。


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高频小功率场效应晶体管三极管一般指特征频率大于3MHz,功率场效应晶体管小于1W的三极管主要用于高频振荡、放大电路中。高频大功率场效应晶体管三极管指特征频率大于3MHz,功率场效应晶体管大于1W嘚三极管主要用于通信等设备中作为功率场效应晶体管驱动、放大。
1、场效应管可应用于放大由于场效应管放大器的输入阻抗很高,洇此耦合电容可以容量较小不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换常用于多级放大器的输入级作阻抗變换。
3、场效应管可以用作可变电阻
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关


功率场效应晶体管纵向双扩散金屬氧化物半导体场效应晶体管的英文翻译

功率场效应晶体管纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的相关资料:

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