氮化铝基陶瓷基覆铜板覆铜板 国内需求量？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-12-12 04:16 标签： 陶瓷基覆铜板
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AMB工艺制备氮化铝陶瓷覆铜板取得进展
16:39:54　　
& && &众所周知，陶瓷基覆铜板有着传统覆铜板材料无法比拟的性能优势，近年来逐渐替代传统覆铜板在新能源汽车、动力机车、航空航天等领域的运用；其中尤以高导热、低膨胀的氮化铝陶瓷基覆铜板最为突出。然而，基板材料表面金属化后才能作为互连器件的电导体和热导体，而以氮化铝陶瓷为代表的陶瓷基覆铜板走向大规模工程化应用恰恰面临这一瓶颈性难题。& && &活性金属钎焊（Active Metal Bonding，AMB）覆铜技术，顾名思义，依靠活性金属钎料实现氮化铝与无氧铜的高温冶金结合，以结合强度高、冷热循环可靠性好等优点而备受关注，应用前景极为广阔。但同时也应该看到，AMB工艺的可靠性很大程度上取决于活性钎料成分、钎焊工艺、钎焊层组织结构等诸多关键因素，工艺难度大，而且还要兼顾成本方面的考虑。依据目前的市场调研结果来看，氮化铝AMB覆铜板国内相关研发机构（生产企业）与国外竞争对手存在较大的技术差距。& && &斯利通陶瓷电路板瞄准活性金属钎焊覆铜这一前沿技术，以高压大功率IGBT模块为主要应用目标，开展了以氮化铝为代表的AMB陶瓷覆铜板工艺研发工作，基板涵盖了2英寸、4.5英寸等不同尺寸。结果表明我们的AMB工艺简单、成本低，尤其是界面缺陷可以控制在远低于传统AMB覆铜板的水平，无氧铜/氮化铝剥离强度高、冷热循环可靠性好。下一步，斯利通将致力于推动此项技术成果的市场转化工作，真正实现技术优势到产品优势的转变。& && &陶瓷覆铜板是高压大功率IGBT模块的重要组成部件，其具有陶瓷的高导热、高电绝缘、高机械强度、低膨胀等特性，又兼具无氧铜的高导电性和优异焊接性能，且能像PCB线路板一样刻蚀出各种图形。已成为新一代半导体（SiC）和新型大功率电力电子器件的首选封装材料。& && &由于陶瓷覆铜板在军用功率电子和车辆电子等领域的特殊地位，掌握了核心技术的日本、德国等少数发达国家对我国进行了严格的技术封锁，该技术已列入《中国制造2025》的重大攻关项目。本成果的取得为我国新一代半导体的研究与发展奠定了坚实的基础，具有里程碑的意义。
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氮化铝基陶瓷覆铜板的制备方法
申请（专利）号：
申请日期：
公开(公告)日：
公开(公告)号：
主分类号：
C04B37/02,C04B37/00,C,C04,C04B,C04B37
C04B37/02,C04B37/00,C,C04,C04B,C04B37,C04B37/02,C04B37/00
申请（专利权）人：
李磊,王怀义
发明（设计）人：
李磊,王怀义
主申请人地址：
255400 山东省淄博市临淄区临淄大道432号
专利代理机构：
青岛发思特专利商标代理有限公司 37212
国别省市代码：
一种氮化铝基陶瓷覆铜板的制备方法，其特征在于步骤如下：（1）无氧紫铜箔前处理后，再放入熔融的硝酸钠中进行中温化学氧化处理，在无氧紫铜箔的键合面形成一层均匀致密的Cu&sub&2&/sub&O膜；（2）氮化铝基板前处理后，再经过高温氧化处理，在氮化铝基板的两面各形成一层均匀致密的Al&sub&2&/sub&O&sub&3&/sub&膜；（3）对高温氧化后的氮化铝基板磁控溅射处理，在两面各形成一层均匀致密的Cu&sub&2&/sub&O膜；（4）通过将处理后的无氧紫铜箔预压成圆弧形，与氮化铝基板叠装在一起放置在链式键合炉内进行高温动态连续键合；（5）键合后采用循序温差交替降温法处理，即得。
法律状态：
公开，公开
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万方数据电子出版社陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板的分类,陶瓷覆铜板参数指标等|捷配电子通
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陶瓷覆铜板的特点
　　1. 机械应力强，形状稳定；高强度、高绝缘性、高导热率；防腐蚀，结合力强；
　　2. 极好的热循环性能，循环次数可多达5万次，可靠性高；
　　3. 使用温度宽-55℃～850℃；热膨胀系数接近硅，简化功率模块的生产工艺。
　　4. 与PCB板（或IMS基片）一样可刻蚀出各种图形的结构；无污染、无公害；
陶瓷覆铜板的性能
　　1.减少焊层，降低热阻，减少空洞，提高成品率；
　　2.超薄型（0.25mm）DCB板可替代BeO，无环保毒性问题；
　　3.热膨胀系数接近硅芯片，可节省过渡层Mo片，节材、省工、降低成本；
　　4.载流量大，在相同载流量下0.3mm厚的铜箔线宽仅为普通印刷电路板的10%；
　　5.优良的导热性，使芯片的封装非常紧凑，从而使功率密度大大提高，改善系统和装置的可靠性；
陶瓷覆铜板的应用
　　1.汽车电子，航天航空及军用电子组件；
　　2.智能功率组件；固态继电器，高频开关电源；
　　3.太阳能电池板组件；电讯专用交换机，接收系统；激光等工业电子；
　　4.大功率电力半导体模块；电子加热器、半导体致冷器；功率控制电路，功率混合电路；
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