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图解LED芯片技术三大流派
图解LED芯片技术三大流派
14:00:49 [编辑：jasminezhuang]
我去年提过，的竞争在这两年将会是技术的竞争，但是离不开两个规律：&技术越来越先进&，尤其是光效的提升；&成本会越来越低&，尤其是在芯片，封装与电源成本的降低，当然还有灯具如何可以自动化的组装，减少人力成本。在LED行业已经快要16年的我，见证了一颗蓝光芯片由五块钱一颗（1998年）到现在的一千颗5块钱（5 RMB/k），这个行业进步的太快了，甚至比集成电路还快，我见证了它的成长，我也参与了他的进步。现在对这十几年来我对的心得跟大家分享，尤其是在中上游的技术方面。
我把氮化镓LED技术的流派分为三大部分：第一是垂直结构派，以与欧司朗为代表，金属衬底的旭明，还有执着于硅衬底的普瑞东芝与晶能，当然还不能忘记很多日本厂商与中村修二先生在研发的氮化镓同质结构。第二是倒装派（flip Chip），想到倒装当然就是Luminled了，当然大陆的晶科与目前台湾很多芯片厂都在研发这种芯片，甚至科锐也开始在做这类产品了，所以技术与良率也在不断地成熟中。第三当然是蓝宝石衬底结构，目前LED的主流，几乎每家公司都以这个结构为基础做很大的改善，前面说的16年进步一千倍，就是一直以这种结构不断改善的。
三大流派各有优缺点，分述如下：
垂直结构派：
有点像明教或日月神教的感觉，始终不是主流，但是又有独特的技术，如果做到极致像是科锐的碳化硅技术还是可以跟主流抗衡，在金庸小说里面，不管是阳顶天，张无忌，任我行还是东方不败，他们都可以跟少林武当分庭抗礼，但是始终不是主流或是像流星一样瞬间消失。垂直结构派就是如此，它始终在走非主流路线，一直有新技术在发表，但是在市场上始终很难找到他们的踪影。垂直结构除了碳化硅和同质衬底，都需要非常复杂的工艺来制造，不管是硅衬底还是金属衬底，与氮化镓热失配问题一直没有解决，导致这种结构良率非常低，虽然导热好，衬底也比蓝宝石便宜，发光面积也比较大，但是在成本与技术的竞争上始终不是蓝宝石结构的对手。因为上下电极的原因，在应用上也受限，尤其是在需要串并的电路设计上无法满足很多灯具的要求，也无法制作高压芯片，因此科锐的垂直结构芯片只能用在路灯等较高单价的特定市场，通用照明与背光这两个主流市场垂直结构芯片始终无法大量介入。当然我们不能忽略日本公司与中村修二先生正在研发的同质结构，它没有前面提到的缺点，但是一个致命的问题就足以打败它所有的，氮化镓衬底贵的离谱，两年前是1000美金，现在是500美金以上，做LED会不会太奢侈了？所以现在同质衬底只能用来做蓝光激光二极管，用于HD-DVD播放机或是高画质的PS3游戏机的读写头。大家一定会问我有没有降价空间？我的答案是&有，但是有限&，目前氮化镓衬底只有两种主流做法，氢化物气相外延HVPE与热氨法amonothermal method，估计要降到100美金才会有竞争力，但是依照目前的技术五年内都达不到。
倒装结构派：
有点像武当派，武当派是张三丰离开少林之后自创的一派，就像倒装技术其实也是蓝宝石技术的延伸，只不过是将蓝宝石结构的芯片倒装贴合在导热性比较高的基板上，如果在基板上加上齐纳二极管，他可以抗拒电子器件最怕的静电冲击，有点像是武当太极以柔克刚的感觉。倒装目前是正装结构外大家在关注的焦点，尤其是封装厂急于降成本的时候，由于导热路径不需经过蓝宝石，热可以直接导入散热基板，芯片共晶倒装技术在技术上也越来越成熟，良率越来越高，已经接近正装的良率。倒装有三个优点是正装永远无法赶上的，不需要焊线工艺，大电流驱动不光衰，均匀的荧光粉涂布，所以目前封装厂对倒装是又爱又恨，爱的是他可以省下焊金线成本，倒装封装的二极管可以加大电流，1颗可以当2颗或是3颗用，荧光粉可以涂布均匀，发出来的光很均匀漂亮。恨的是目前很多公司在发展无封装制程（CSP：chip Scale Package），把封装的工艺在芯片段都做完了，直接跳过封装，交货给应用厂商，很多封装厂怕万一CSP未来成为主流，他们之前的投资将血本无归。这也是我一直在关注的技术，我目前还是无法判断是否有可能，就像我们看金庸小说一样，始终无法判断是武当厉害还是少林厉害。
蓝宝石派：
我心目中的少林派，这二十年来始终屹立不摇，不管是外延还是芯片技术，都是循序渐进的依照海兹定律(Haitz&sLaw)不断提升，就像少林武功一样，不断的透过内功修炼，完成绝世武功的升华。正装工艺是中村修二先生发展出来的，做成正装主要原因是蓝宝石衬底不导电，需要将正负极做在同一个发光面上，他有先天上的缺点，只要克服这些缺点，就可以完成一次次飞跃的提升。蓝宝石与氮化镓晶格失配用低温缓冲层解决，P型氮化镓电阻过高用退火来解决，镍金透明导电层穿透率太低用氧化铟锡ITO来取代，钻石刀切割良率低，钻石刀成本过高用紫外激光划片解决，紫外激光划片亮度损失用飞秒隐形切割或热酸腐蚀来解决，降低缺陷密度，减少界面全反射用PSS图形衬底取代平面衬底。一次次的提升都是透过新材料与新工艺来完成，就像少林武功一样，透过扎实的基本功，将武功一步一步的提升，完成绝世武功的升华，没有取巧也没有捷径。他每一次受到的挑战，都利用扎实的基础来化解，所以一直是LED的主流，估计未来几年都会如此。
有人会问我，未来谁会是技术主流，我想金庸先生已经给我们答案了，在金庸小说里面，那些派别是屹立不摇，那些是瞬间暴起，瞬间流逝。长远来看，正装的少林与倒装的武当是主流，其他技术，就像是小说里面的明教，日月神教，在一时间会刮起风潮，但是永远不会是主流。 （注：本文由德力光电叶国光向LEDinside供稿）
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微纳光学在LED芯片中应用研究的综述
[导读]引言自1991 年GaN 蓝光LED 面世后，GaN 基LED近几年来发展迅速。目前，高效率GaN 基LED 已经被广泛地用于全彩显示屏、固态照明、液晶显示器背光源等方面。LED 以其寿命长、耗电小、环保、耐冲击、抗震等优点，LED 照
引言本文引用地址:
自1991 年GaN 蓝光LED 面世后，GaN 基LED近几年来发展迅速。目前，高效率GaN 基LED 已经被广泛地用于全彩显示屏、固态照明、液晶显示器背光源等方面。LED 以其寿命长、耗电小、环保、耐冲击、抗震等优点，LED 照明市场增长快速[1]。但是，由于在半导体和空气之间折射率的差异造成的全反射而导致LED 表面的光提取效率较低[2，3]，典型的GaN 半导体材料折射率为2. 5，由全反射定律得知，光线从半导体逸出到空气中全反射角的临界值为24&角[4]，故大于24&的光线都无法从半导体材料中逸出。因此，全反射在很大程度上影响了LED 的光提取效率。因此，如何减少全反射，改善LED 的光提取效率成为如今研究热点之一[5]。本文主要介绍了对LED 芯片表面或芯片内部的几种微结构的加工，它们都能够起到提高LED 出光效率的作用。
1 LED 表面微结构技术
传统的GaN 基LED 是利用化学气相沉积( MOCVD) 技术在560&C 左右的蓝宝石基底上分别沉积掺杂Si 的n 型GaN 材料和掺杂Mg 的p 型GaN材料，两种材料之间形成量子阱( MQW) 。在p 型GaN 材料上再镀上一层ITO 膜( 氧化铟锡) ，该金属氧化物透明导电膜作为透明电极，其作用是增强电极出光亮度以及隔离芯片中发射的对人类有害的电子辐射、紫外线及远红外线等[6]。LED 的基本结构如图1 所示。
清华大学的张贤鹏等人[8]采用基于Cl2 /Ar /
BCl3气体的感应耦合等离子体( ICP) 刻蚀技术制作了p-GaN 表面具有直径3&m、周期6&m 的微结构。该微结构将GaN 基蓝光LED 芯片的光荧光效果提高了42. 8%，并且在LED 器件注入电流为20mA 的情况下，将芯片正面出光效率提高了38%，背面出光效率提高了10. 6%。
加州大学的Schnitzer 等[7]对LED 芯片进行表面微结构处理的做法是利用自然光刻法将LED 芯片的出光表面做一个粗糙化处理，使得LED 芯片的出光表面变得粗糙不均匀，粗糙化后的芯片结构如图2 所示。如图3 所示，当光波传递到不均匀表面时，由于粗糙表面的光散射，这样，半导体内更多的光可以传播到空气中。粗糙化的LED 芯片其出光效率可以达到约16. 8%，而一般的环氧树脂封装LED 的光取出效率非常低，仅能达到4% 左右[1]。粗糙化后的LED 芯片结构在SEM 下扫描结果如图4 所示。
2 LED 芯片表面双层微结构技术
LED 芯片表面双层结构指的是在p 型GaN 半导体上出光表面和ITO 透明导电电极的上表面各加工上一层微结构。这种双层微结构的LED 芯片的出光效率较普通的LED 芯片提高了近40%。J. H. Kang 等人[11]设计的双层微结构LED 芯片的制作方法如图5 所示，先在LED 芯片的p 型GaN 半导体材料上表面沉积一层200nm 厚的ITO透明导电膜( 如图5( a) ) ，再用5% 的稀盐酸浸泡约30s，由于稀盐酸对ITO 膜的腐蚀作用，200nm 的ITO 薄膜将被腐蚀成直径约为200nm 的ITO 纳米导电球体( 如图5( b) ) ，此时，微小的ITO 纳米球作为后续蚀刻处理中的掩膜结构，通过电感耦合等离子蚀刻( ICP) 后，由于纳米球的保护作用，刻蚀后的芯片p 型GaN 材料的上表面形成纹理微结构( 如图5( c) ) ，最后在ITO 纳米导电球体表面再沉积上氧化铟锡材料，从结构上来说在LED 芯片的上表面形成一种双层的微结构[10]( 如图5( d) ) 。
该双层微结构的顶视图和截面图用SEM 扫描图如图6 所示，从顶视图上可以看出许多圆球形的ITO 纳米球无规则的附着在ITO 透明导电膜之上，图6 SEM 扫描得到的双层微结构LED芯片表面顶视图和截面图[10]形成第一层的微结构。从截面图上可以看出，p 型GaN 基材的表面也呈现不规则的凹凸不平整结构，形成第二层的微结构。
经双层微结构加工之后的LED 芯片出光效率较未加工的LED 芯片提高了许多，如图7 所示，加工微结构后的芯片正面输出光效率比未加工的芯片提高约70%，背面出光效率也比未加工的芯片提高约71. 5%。正面出光效率的增加是由于粗糙的表面导致出射光的散射效应，使得有更多的光朝着随机方向传播，有更多的光可以从上表面出射。而芯片背面的出光效率增强也是由于粗糙上表面对出射光的散射效应，使得由上表面反射至下表面的光也变得杂乱无规则，以此增强了下表面的出光效率[11]。
J. H. Kang 等人[11]通过对芯片进行双层微结构的加工，可以大幅度提升其光学性能，能够得到比较好的外量子效率。但是该技术也有其缺陷，由于加工过程中的沉积和蚀刻都有比较大的随机性。生产的重复性不好，并且由于对p 型GaN 半导体材料表面的粗糙化，难免会破坏LED 芯片中的p-GaN 层，影响了芯片的电学性能，由于微结构的加工，芯片的方阻会有所提升。
3 LED 芯片表面二维光子晶体结构的加工
光子晶体( Photonic Crystal) 即光子禁带材料，是一类在光学尺度上具有周期性介电结构的人工设计及制造的晶体[12]。由于晶粒之间存在的周期性，光子晶体间会出现类似于半导体禁带结构的光子带隙( Photonic band gap) 。当电磁波在光子带隙中传播时，由于存在布拉格散射效应，故光子晶体具有调制相应波长电磁波的能力。1997 年，S. H. Fan 等人[13]首次研究了光子晶体对LED 自发辐射能量及空间分布的影响。光子晶体结构示意图如图8。
J. H. Kang 等人[11]通过对芯片进行双层微结构的加工，可以大幅度提升其光学性能，能够得到比较好的外量子效率。但是该技术也有其缺陷，由于加工过程中的沉积和蚀刻都有比较大的随机性。生产的重复性不好，并且由于对p 型GaN 半导体材料表面的粗糙化，难免会破坏LED 芯片中的p-GaN 层，影响了芯片的电学性能，由于微结构的加工，芯片的方阻会有所提升。
3 LED 芯片表面二维光子晶体结构的加工
光子晶体( Photonic Crystal) 即光子禁带材料，是一类在光学尺度上具有周期性介电结构的人工设计及制造的晶体[12]。由于晶粒之间存在的周期性，光子晶体间会出现类似于半导体禁带结构的光子带隙( Photonic band gap) 。当电磁波在光子带隙中传播时，由于存在布拉格散射效应，故光子晶体具有调制相应波长电磁波的能力。1997 年，S. H. Fan 等人[13]首次研究了光子晶体对LED 自发辐射能量及空间分布的影响。光子晶体结构示意图如图8。
J. H. Kang 等人[11]通过对芯片进行双层微结构的加工，可以大幅度提升其光学性能，能够得到比较好的外量子效率。但是该技术也有其缺陷，由于加工过程中的沉积和蚀刻都有比较大的随机性。生产的重复性不好，并且由于对p 型GaN 半导体材料表面的粗糙化，难免会破坏LED 芯片中的p-GaN 层，影响了芯片的电学性能，由于微结构的加工，芯片的方阻会有所提升。
3 LED 芯片表面二维光子晶体结构的加工
光子晶体( Photonic Crystal) 即光子禁带材料，是一类在光学尺度上具有周期性介电结构的人工设计及制造的晶体[12]。由于晶粒之间存在的周期性，光子晶体间会出现类似于半导体禁带结构的光子带隙( Photonic band gap) 。当电磁波在光子带隙中传播时，由于存在布拉格散射效应，故光子晶体具有调制相应波长电磁波的能力。1997 年，S. H. Fan 等人[13]首次研究了光子晶体对LED 自发辐射能量及空间分布的影响。光子晶体结构示意图如图8。
J. H. Kang 等人[11]通过对芯片进行双层微结构的加工，可以大幅度提升其光学性能，能够得到比较好的外量子效率。但是该技术也有其缺陷，由于加工过程中的沉积和蚀刻都有比较大的随机性。生产的重复性不好，并且由于对p 型GaN 半导体材料表面的粗糙化，难免会破坏LED 芯片中的p-GaN 层，影响了芯片的电学性能，由于微结构的加工，芯片的方阻会有所提升。
3 LED 芯片表面二维光子晶体结构的加工
光子晶体( Photonic Crystal) 即光子禁带材料，是一类在光学尺度上具有周期性介电结构的人工设计及制造的晶体[12]。由于晶粒之间存在的周期性，光子晶体间会出现类似于半导体禁带结构的光子带隙( Photonic band gap) 。当电磁波在光子带隙中传播时，由于存在布拉格散射效应，故光子晶体具有调制相应波长电磁波的能力。1997 年，S. H. Fan 等人[13]首次研究了光子晶体对LED 自发辐射能量及空间分布的影响。光子晶体结构示意图如图8。
J. H. Kang 等人[11]通过对芯片进行双层微结构的加工，可以大幅度提升其光学性能，能够得到比较好的外量子效率。但是该技术也有其缺陷，由于加工过程中的沉积和蚀刻都有比较大的随机性。生产的重复性不好，并且由于对p 型GaN 半导体材料表面的粗糙化，难免会破坏LED 芯片中的p-GaN 层，影响了芯片的电学性能，由于微结构的加工，芯片的方阻会有所提升。中国照明网技术论文&LED照明
3 LED 芯片表面二维光子晶体结构的加工
光子晶体( Photonic Crystal) 即光子禁带材料，是一类在光学尺度上具有周期性介电结构的人工设计及制造的晶体[12]。由于晶粒之间存在的周期性，光子晶体间会出现类似于半导体禁带结构的光子带隙( Photonic band gap) 。当电磁波在光子带隙中传播时，由于存在布拉格散射效应，故光子晶体具有调制相应波长电磁波的能力。1997 年，S. H. Fan 等人[13]首次研究了光子晶体对LED 自发辐射能量及空间分布的影响。光子晶体结构示意图如图8。
光子晶体具有三种特性: 能够利用光子带隙遮蔽光; 具有异向性，通过光子晶体的光会无规则的散射; 光子晶体曲线变化非常快，同波长有关。光子晶体可分为三类: 一维、二维、三维结构。一维的光子晶体只能在很小的角度范围内发出衍射光，不能衍射平面任意角度的入射光; 由于技术限制，制备符合规范的三维结构光子晶体目前还比较困难。而二维光子晶体可以衍射较大角度上的入射光，因此目前主要用二维的光子晶体来提高LED 的出光效率[14]。影响其出光效率的主要因素有光子晶体结构、晶粒高度、晶格常数等。
利用光子晶体结构提高LED 出光效率主要有两种原理[15， 16]。第一是利用了光子晶体的禁带效应原理，禁带效应原理主要表现在: 频率落在禁带范围内的光子被禁止传播，如果LED 芯片上集成了光子晶体结构，当LED 中导光模的频率落在光子晶体的禁带以内时，光波将被耦合成在自由空间中的辐射模式，在这种情况下，可以大幅增加光的提取效应。第二种是利用光子晶体的光栅衍射效应。光子晶体构成了一种类光栅的结构，当光束进入p 型GaN 的表层的出射光和周期与光波长相当的光栅结构发生作用时，光波就会被调制，一些本来难以出射的光束被耦合成出射光，如图9 所示，由于光栅衍射效应，原本因全反射被限制在p 型GaN 半导体材料中的光束可以出射到空间中，则可以提高LED 芯片的出光效率和控制光的空间分布。其中，Chia-HsinChao 等人[17]研制的定向光提取光子晶体氮化镓薄膜LED 输出功率较无光子晶体的氮化镓薄膜LED提高了多达77%，并且通过设计改善光子晶体的排布模式和晶格方向可以使LED 的出光限制在较小的范围之内。
目前主要的制造光子晶体结构的技术有纳米压印光刻( NIL) 、电子束光刻( EBL) 、激光全息光刻法( LHL) [18]，通过光子晶体结构的设计，减少了光在LED 芯片内的传播和消耗，实现了LED 外量子效率的提高。光子晶体LED 的发光效率最多可以提高140%。
4 LED 双光栅微结构技术
在LED 中引入光栅微纳光学结构的方法可以有效地增强LED 芯片的出光效率。其中，利用单光栅结构的LED 的光提取效率已有大幅提高，但由于一维光栅结构只能衍射单个方向上的光[19]，沿着光栅方向传播的光仍然被全反射效应限制，出光效率仍然受到较大限制。
清华大学实验室[20]设计了一种GaN 基的双光栅微纳结构，该结构如图10( a) 所示。其中第一个光栅G1加工在上表面的ITO 层上，第二个光栅G2刻蚀在GaN 层的下表面，两个光栅的刻线方向相互垂直，这样那些在G1处全反射的光线经G2的光栅衍射后，使其入射角小于出射临界角，再经过G1辐射出去。其原理如图10( b) 所示。因此，双光栅结构可以有效的提取因全反射而受限制的出射光。双光栅结构LED 可以提取出传统LED 中大部分因全反射而无法出射的受限光，根据研究者的软件评价结果可以表明，这种LED 的理论光提取效率可以达到48. 5%[20]，较传统LED 高了约6. 3 倍。
作为第三代照明光源，发光二极管( LED) 的使用已经日益广泛，LED 发光效率的提高对于降低功耗、节约能源有着重大的意义。目前，GaN 基LED的内量子效率已经达到90%，但由于受全反射影响，普通LED 的外量子效率仅为5%。利用LED 芯片表面的微结构加工，可以大幅改善LED 的出光效率。但由于微纳结构加工的重复性不好以及加工过程中对半导体材料的电学特性有所影响，这些因素都会影响到LED 芯片的出光效率以及增加芯片能耗。因此，优化和改善微纳结构加工工艺以及将微结构加工与其他提高出光效率的技术相互结合，是未来的研究趋势。
美国政府日前起诉了四位曾在Applied Materials工作过的工程师，按照美方的说法，这四人涉嫌从美国半导体设备巨头偷取芯片设计技术，并将其出售给中国初创公司。......关键字：
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我 要 评 论
热门关键词怎么区别led驱动是隔离还是非隔离_百度知道
怎么区别led驱动是隔离还是非隔离
两个都是有变压器的
怎么确定哪个是隔离的哪个是非隔离的。
我看见说有变压器的不一定是隔离的
那么有变压器的怎么确定是隔离还是非隔离啊
我有更好的答案
变压器可能是做电感用的，那就不隔离了。用万用表分别测驱动的2个输出端与输入整流桥的正负极是否相通，相通的就是非隔离的，不通的就是隔离的。
但有没有直观的方法
哈哈！可以看这个“变压器”的引脚，如没有输出飞线只有2-3个引脚是有电气连接的就是非隔离的；引脚多于5个（含输出飞线）的应该就是隔离的。还有看PCB的走线，这些都是需要经验的。
能不能加你QQ啊？
采纳率：30%
隔离是指电源原副边隔离
一般是使用变压器，光藕，隔离电容等将电源原副边所有电气信号隔离开非隔离是指原副边的地是同一个地
有没有万用表啊?用万用表分别测电源的两个输出端与输入整流桥的正负极是不是相通的 相通的就是非隔离的 不通的就是隔离的 ?
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最新技术资料干货：LED电路基础常识，LED芯片为什么会漏电？
LED漏电的问题，有很多人都遇到过。有的是在生产检测时就发现，有的是在客户使用时发现。漏电出现的时机也各有不同。有些是在LED封装完成后的测试时就有;有些是在仓库放置一段时间后出现;有些是在老化一段时间后出现;有些是在客户焊接后出现;有些是在客户使用一段时间后出现。而对漏电问题的具体发生原因，一直困扰着封装厂的工程师，LED漏电的原因：
在目前，最可能导致LED发生漏电的主要原因排序应该如下：
（1）芯片受到沾污 （——最主要、高发问题）
（2）银胶过高
（3）打线偏焊
（5）使用不当
（6）晶片本身漏电
（7）工艺不当，使得芯片开裂
（9）其它原因
LED电源安装需要注意的问题：
LED路灯电源恰恰是目前LED发展的重中之重，对于LED技术上的相关设计，目前已经有多种的方案与独特的设计手法，我们就来一一了解一下;
1、LED路灯电源电源为什么一定要恒流的呢？
LED照明材料的特性决定其受环境影响较大，譬如温度变化升高，LED的电流会增加，电压的增加，LED的电流也会增加。长期超过额定电流工作，会大大缩短LED的灯珠使用寿命。而LED恒流就是在温度和电压等环境因素变化时，确保其工作电流值不变。
2、LED路灯电源电源恒流精度
市场上有的电源的恒流精度差，象市面上流行的推荐方案等恒流的方案，误差达到±8%，恒流误差太大。一般要求在±3%就可以了。按3%的设计方案。生产电源要进行微调才能达到±3%误差。
3、LED路灯电源电源的工作电压
一般LED的推荐工作电压是3.0-3.5V，经测试，大部分工作在3.2V，所以按3.2V计算式比较合理的。N个灯珠串联的总电压=3.2* N
4、LED路灯电源电源的工作电流是多少才是最合适
例如LED的额定工作电流350毫安，有的工厂一开始就用到尽，设计350毫安，实际上此电流下工作发热很严重，经多次对比试验，设计成320毫安是比较理想的。尽量减少发热量，让更多的电能变成可见光能。
5、LED路灯电源板的串并联与宽电压要多宽呢？
要使LED路灯电源工作在输入电压范围比较宽的范围AC85-265V，则灯板的LED串并联方式很重要。尽量不使用宽电压，能分成AC220V，AC110V尽可能分类，这样才能确保电源可靠性。由于目前的电源一般为非隔离的降压式恒流电源，在要求电压110V时，输出电压不要超过70V，串联数不超过23串。输入电压220V时输出电压可以到达156V的。也就是说，串联数不超过45串。并联数不要太多，否则工作电流太大，电源发热严重。还有一种宽电压方案，APFC有源功率补偿就是先用L 把电压抬高到400V，然后再降压，相当于两个开关电源。这方案在特定条件下才用的。
6、隔离/非隔离
一般隔离电源如做成15W，放在LED路灯电源管内，其变压器体积很大，很难放进去。主要看空间结构视具体情况而定，隔离的一般只能做到15W，超过15W的很少，并且价格很贵。所以，隔离的性价比不高，一般是非隔离的占主流较多，体积可以做得更小，最小可以做到高8毫米，实际上，非隔离的安全措施做好了，是不存在问题的。空间允许的也可以做隔离电源。
7、LED路灯电源电源要怎样才可以做到与灯珠板匹配？
一些客户先设计好灯板，再找电源，发现很难有合适的电源，要么电流太大，电压太小（如7X1WI》350mA，或V《20V）;要么电流太小，电压太高（如I《200mA或V》25V），造成的结果是发热严重，效率低，或者输入电压范围不够。其实，选择一个最优良的串并接方式，加在每个LED上的电压电流是一样的，而电源的效果却能发挥最好的性能。最好的方式是先和电源厂商沟通，量身定做。或自已生产电源。
8、LED的串并联与PFC功率因素
隔离式输入AC220V高压端电解电容容量一般以输入功率1W=1UF，AC110V1W=2UF目前市场上的电源PFC有三种情况：一种是不带PFC无功率因数补偿专用电路的，其PF值一般在0.65左右;二种是无源功率因数补偿PFC电路的，也就是无源功率因数补偿灯，也叫逐流电路板是目前使用最广可靠性最好，PF值一般在0.92左右;还用三种是用有源主动式电路做的，也就是有源功率因数补偿，称为APFC电路中AC220V，AC110V可以用同容量的电解电容，选用1W=1.5UF。PF值可以达到0.99，但这个方案的成本比第二种方案贵一倍可靠性略差。所以第二种方案用的较多。对于无源式PFC电路：也叫做填谷式PFC电路，其直流工作电压范围是交流输入电压峰值的一半。如输入是220V，其峰值是220*1.414=312V，峰值电压的一半是156V，在非隔离式基础上输出波为上半波没有下半波。
所以LED路灯电源珠串联数最多45串以下为宜。因此，要想得到比较大的功率因素，灯珠的串联数不能太少，否则就达不到最佳工作状态，在隔离式电源上串联数量多少与副绕组匝数多少有关，必须要做到的电源功率要满足输出功率。电子元件在额定电压工作范围内工作电流越小发热越底寿命越长，反之寿命就会越短。LED路灯电源珠对交流份量很敏感，交流份量越高光线舒适度就越差。一般要用电解电容来维持电压，尽可能减少输出端电压交流份量，底压端电解电容容量不能太小，容量与输出电流比例为1UF《1.5MA否则LED会出现闪烁。非隔离式输入端高压电解电容选择与隔离式相同，输出端电容选择1UF《6MA。调光LED电源在输出端电解电容要满足1UF《0.5MA》。
9、LED路灯电源电源效率
输入功率减去输出功率值 ，这个参数尤为重要，值越大效率就越低，就意味着输入功率有很大一部分转化为热量散发出来 ;如果是装在灯内就会产生一个很高的温度，再加上我们LED的一个光效比所散发热量，就会叠加产生更高的温度。而我们的电源内部所有电子零件的寿命都会随温度的上升而缩短。所以说效率是决定电源寿命最根本的因数，效率不能太低，否则消耗在电源上的热量太大。非隔离式效率高于隔离式，一般在80%以上就可以了，不过，效率与灯板的匹配接法有关
10、LED路灯电源散热
散热方案主要因素是LED路灯电源珠在不过热条件下使用能大大延长寿命，一般用铝合金，更易于散热。也就是LED路灯电源珠贴在铝基板上，外部尽量扩大散热面积。
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