当前位置：
14nm、10nm、7nm工艺竞争白热化 到底谁领先？
最近，IBM公布了其在7nm制程上取得重大进展，而14nm工艺是英特尔直到2014年才推出的，10nm更是计划2015年推出的，但是现在看来至少要推迟到2016年下半年或者2017年上半年。与14nm类似，英特尔在10nm跳票严重。
　　最近，IBM公布了其在7nm制程上取得重大进展，而14nm工艺是英特尔直到2014年才推出的，10nm更是计划2015年推出的，但是现在看来至少要推迟到2016年下半年或者2017年上半年。与14nm类似，英特尔在10nm跳票严重。　　14nm　　多年以来，在纯逻辑制程方面，英特尔都可以理直气壮地声称其工艺领先所有竞争对手。2007年英特尔在45nm节点导入HKMG工艺（High-K绝缘层+金属栅极），直到2010年左右，HKMG才在整个半导体业界普及。2011年英特尔在22nm节点引入FinFET工艺，直到2014年大部分竞争对手才实现了FinFET工艺。从22nm推进到14nm，英特尔理应比其他厂商更顺利一些，因为英特尔只需要缩小工艺尺寸，而其他厂商既要导入FinFET工艺，又要缩减尺寸，但是英特尔在14nm上却栽了大跟头。英特尔在和2011年分别进入45nm、32nm和22nm工艺节点，14nm工艺按计划应该在2013年推出，但是英特尔直到2014年才推出14nm工艺，比计划晚了好几个季度。　　三星则跳过了20nm，在2014年底直接进入14nm工艺，只比英特尔晚了一点点。三星最早的14nm工艺被称为&14LPE&，在&14LPE&之后，三星将推出提升性能的&14LPP&工艺。三星也将14nm工艺授权给GlobalFoundries，从而使公司有更多的14nm工艺选择。　　台积电对抗14nm工艺的制程被其称为&16FF&，这种16nm FinFET工艺在2014年末引入，2015年量产。2015年下半年台积电还将量产一款提高性能的&16FF+&工艺。　　有两点需要说明一下。英特尔公布的工艺导入日期是英特尔处理器导入新工艺的时间，而晶圆代工厂公布的工艺导入日期是系统级芯片（SoC）导入新工艺的时间。由于系统级芯片比处理器要支持更多的设备，所以系统级芯片所采用的工艺一般比处理器更复杂。相同的工艺节点，英特尔的系统级芯片工艺导入时间一般比处理器工艺导入时间晚一年。第二点，晶圆代工厂的14nm工艺指只缩减了前道工艺的尺寸，后道工艺还是20nm工艺的水平，英特尔的前道工艺与后道工艺都进行了缩减，因此英特尔的工艺尺寸比其他晶圆厂都要小。　　显然晶圆代工厂在14nm工艺的迁移比英特尔更顺利，这种状况对于这些晶圆代工厂意味着什么呢？　　28nm时台积电是晶圆代工厂的领头羊，苹果因此把应用处理器的订单从三星转移到了台积电。14nm/16nm节点上，苹果的业务仍然是台积电最大的收入来源，但是苹果把代工业务分给了三星和台积电，而且三星的订单更早一些。高通也把部分订单从台积电挪到三星。显而易见，三星14nm的顺利量产使得它从台积电那里抢了不少生意。　　14nm工艺推迟对于英特尔的影响难以判断，英特尔仅有很少的代工业务，因此至少现在代工方面对于英特尔没有实质影响。英特尔最主要的业务是PC处理器，在这个市场和AMD历经多年拼杀，终于凭借先进的工艺和制造优势迫使AMD卖掉了晶圆厂。现在英特尔在PC处理器市场近乎垄断地位，从现在的市场来看，14nm工艺推迟对于英特尔的PC业务不会有实质性影响。工艺延缓或许对财务会造成不利影响，但是英特尔整个2014年的毛利仍然很高，所以这方面的影响也可以忽略。　　10nm　　本来根据英特尔的计划，10nm工艺应该在2015年推出，但是现在至少要推迟到2016年下半年或者2017年上半年。与14nm类似，英特尔在10nm跳票严重。　　三星已经展示了10nm的晶圆，并表示他们将在2017年量产10nm工艺。　　台积电也在紧攻10nm工艺，宣称将在2016年第二季度试产10nm工艺，并在2016年末正式开始量产。基本上这三家公司在10nm工艺进度上是前后脚的关系。　　三星和台积电谁能够在10nm工艺竞赛中领先，谁就能够得到更多苹果的代工业务。现在三星和台积电在10nm工艺开发上进展都非常好，不过GlobalFoundries的10nm工艺进展则是一个谜，GlobalFoundries最近把IBM的半导体业务买了下来，通过IBM的资源，GlobalFoundries现在开始开发自己的10nm工艺。　　英特尔的10nm工艺何时量产难以预测。英特尔刚刚收购了Altera，10nm工艺对于生产Altera的产品很重要。工艺推迟肯定会影响到英特尔的财务状况，但是对于英特尔PC处理器的影响很难看清楚。
本文由入驻OFweek公众平台的作者撰写，观点仅代表作者本人，不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题，请联系举报。
用户名/邮箱/手机：
忘记密码？
用其他账号登录： QQ
请输入评论
最新活动更多 &&
广东省/深圳市
广东省/深圳市
广东省/深圳市
北京市/海淀区
江苏省/无锡市
江苏省/无锡市
北京市/海淀区
北京市/海淀区
浙江省/金华市
浙江省/金华市
*文字标题：
*纠错内容：
联系邮箱：
*验 证 码：Cpu制作工艺中的65nm.45nm. 32nm.22nm.14nm为什么是这几个数据？_百度知道
Cpu制作工艺中的65nm.45nm. 32nm.22nm.14nm为什么是这几个数据？
Cpu制作工艺中的65nm.45nm. 32nm.22nm.14nm最初是根据什么得来的？ 我记得读过有些工艺发展是20nm. 有的是19nm.这样的话行业间没有什么标准么？ 这些数值的改变会不会影响cpu性能及用户体验？还有目前工艺到达14nm是不是就是极限了？ 希望真正懂得的您给予回答...
我有更好的答案
你所说的这些尺寸，是半导体工艺中的特征尺寸。在数字电路中，晶体管的栅极走线是最细的，所以用栅极线宽来衡量每一代的水平。理论山，每一代之间本着0.7的比例进行缩小。Intel一直是秉承0.7比例的厂家。而世界第一大Fab——台积电（TSMC）和Intel相比，自90nm之后，会有一个过渡代。特征尺寸并没有行业标准，大家都是在朝更小的方向去做。在数字逻辑电路中，1nm的性能提升很有限。所以，TSMC的28nm工艺和Intel的32nm工艺是在同一代的，尽管28nm看似小于32nm。另外，在半导体存储器领域，也有特征尺寸，并不是按照0.7的比例缩小的。而且Flash中的晶体管是浮栅管。所以，NAND Flash芯片的制程工艺可比CPU混乱多了。因为我们更关注Flash芯片的单位面积成本，所以哪怕缩小1nm，也能带来成本的下降。你所看见的19nm应该就是英特尔镁光（IMFT）或者SAMSUNG用在Flash芯片上的。现在关于硅基CMOS数字电路的制程极限，认为在5nm左右。事实上，早在1、2年前，CMOS逻辑的制程发展就已经变得很困难了。目前Intel的Roadmap上，还是能看见9nm产品的计划的。
采纳率：71%
CPU制造工艺目前CPU制造工艺是22NM最先进，从65纳米提升至22纳米根本原因是能耗于发热问题，于性能无关。另外若是说为什么，应为CPU制造是流片的形式，这种形式类似流水线，但是良品率高低取决于技术，技术成熟的话14纳米甚至更小的晶体管都可以顺利流片。另外说一下，现在CPU只有22纳米的流片成功了，不是没有能力做14纳米的，而是技术不成熟，良品率低，14纳米工艺制造的CPU于22纳米相比，最主要的就是能耗的下降，理论上温度也会更低。相同构架下，使用22纳米于14纳米工艺制造的CPU性能没有任何诧异。
本回答被网友采纳
没啥依据，就是制造的时候的工艺，里面的晶体管粗细而已，如果是同样的架构的情况下，更小纳米的CPU会比大纳米的更省电，发热也更小。当然，不是绝对的，比如现在INTEL的32纳米和22纳米，22纳米的是3D晶体管，他是竖起来，之间就挨的太近了，热量散不出，比32纳米的发热反而大，但是功耗比32的小，当然同架构不同纳米，不会有什么性能差距。
为您推荐：
其他类似问题
cpu制作工艺的相关知识
换一换
回答问题，赢新手礼包
个人、企业类
违法有害信息,请在下方选择后提交
色情、暴力
我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。10nm战三代 Intel的7nm工艺恐推至2020年
日 10:22&&&转载：&& 作者:bolvar&&
　　在半导体制造工艺上，之前是绝大的老大，领先、TSMC、GlobalFoundries公司一两年（自己的说法是领先友商三年半），但是在14nm工艺上，的Tick-Tock钟摆战略失效，升级换代周期从2年延长到2.5年了，今年下半年的主力还是14nm工艺的Kabylake，10nm Cannonlake延期到了2017年Q3季度，但是这还不算完，7nm工艺可能还要晚一些，恐怕要等到2020年才能量产了，10nm工艺节点至少会有Cannonlake、Icelake、Tigerlake三代产品。　　在半导体工艺上，三星、TSMC这两家最为活跃，FinFET工艺之前他们比Intel的工艺落后一两代，但他们现在比Intel高调多了，TSMC昨天还宣称2018年量产7nm工艺，2020上半年就能量产5nm工艺，三星虽然没有TSMC这么“夸张”，不过去年底也制造出了10nm SRAM缓存，7nm也在路上了。　　半导体制造工艺非常依赖材料、电子、物理等基础科学，这都需要长时间的技术积淀，虽然不能完全排除三星、TSMC获得黑科技的可能性，但小编其实并不怎么相信三星和TSMC两家新工艺的进度，几无可能一两年内就在工艺研发上面超过Intel公司，而且实验室生产出新工艺跟大规模量产新工艺并不是一回事。　　再回到Intel上来，他们2年升级一次新工艺的计划已经失效了，由于10nm之后半导体工艺越来越复杂，进度不可避免地要推迟，新工艺升级周期也要拉长，简单梳理一下就是：2013年：Haswell架构，22nm 3D晶体管工艺2014年：Broadwell架构，14nm 3D晶体管工艺2015年：Broadwell、Skylake架构，14nm 3D晶体管工艺2016年：Kabylake架构，14nm 3D晶体管工艺　　以上是已经确定的了，今年下半年还是14nm工艺，不过架构从skylake升级到kabylake，CPU架构小改，GPU可能会有明显升级，之前有消息提到会引入GT4级别核显，eDRAM缓存容量容量翻倍到256MB。2017年：Cannonlake架构，10nm工艺2018年：Icelake架构，10nm工艺2019年：Tigerlake架构，10nm工艺　　明年Q3季度发布首款10nm工艺的Cannonlake架构处理器也是之前确定的了，再往后是Icelake，之前有消息提到Intel在Haswell上引入、Skylake上去除的FIVR模块可能会重新回归，用在Icelkae处理器上，预计2018年下半年发布。　　如果届时7nm工艺还不够成熟，传闻称Intel还准备了第三款10nm工艺的处理器Tigerlake，预计会在2019年发布。　　这么算来，7nm工艺最可能的时间是要等到2020年了，不过现在连产品名称还没有呢。■
扯扯车精品文章推荐正在阅读：10纳米制程为何迟到？Intel：业界最好，管用三年10纳米制程为何迟到？Intel：业界最好，管用三年
　　【PConline 资讯】随着Galaxy S8/S8+的发布，次世代移动平台骁龙835、Exynos8895正式面世，并将10纳米工艺节点推向大规模商用。别急好事多磨&&迟到的Intel表示有些不服气了。　　日前，Intel在旧金山举办了&技术与制造日&活动，主管制造、运营和销售的执行副总裁Stacy Smith重申&摩尔定律不死&。根据Intel的工艺路线图，14纳米之后就是10纳米节点，包括10nm、10nm+、10nm++三个小迭代。接着转向7纳米节点，并且5纳米制程可以期待了。　　老司机Inte苦口婆心地批评台积电、三星的工艺数字经过&美化&，掩盖了栅极间距、晶体管密度等关键指标，自家14纳米工艺足以匹敌友商最新的10纳米工艺。　　14纳米FinFET工艺下，三星栅极、鳍的间距为84/78纳米、78纳米，大于Intel的70纳米、64纳米；10FinFET纳米工艺下，三星栅极间距为64纳米，大于Intel的54纳米。　　而Intel姗姗来迟的10纳米工艺，其晶体管密度将是14纳米的2.7倍，制造成本比友商少30%。　　&Intel，你家的10纳米制程又迟到了哦。&　　&我们是业界最好的，管用三年！&相关阅读:Intel哭晕：台积电将启动5纳米制程，2020年量产Intel将会代工ARM芯片 台积电/三星:心慌慌Intel要放弃移动市场?仅保留基带业务&
手机论坛帖子排行
最新资讯离线随时看
聊天吐槽赢奖品Intel制程现在算是被短暂反超么？【wp7吧】_百度贴吧
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&签到排名：今日本吧第个签到，本吧因你更精彩，明天继续来努力！
本吧签到人数：0成为超级会员，使用一键签到本月漏签0次！成为超级会员，赠送8张补签卡连续签到：天&&累计签到：天超级会员单次开通12个月以上，赠送连续签到卡3张
关注：296,524贴子：
Intel制程现在算是被短暂反超么？收藏
毕竟Intel 10nm还没出来，台积电 三星的10nm都已经有终端出来了。如果Intel的10nm要Q4才出货相关终端，明年Q2 台积电也要量产 7nm，也就是说，Intel 10nm出来后，最多只能再领先半年左右就被追平了。另外，不要再无脑吹Intel制程，Intel的PPT显示，第一代14nm比不上其他家最好的14/16
我觉得早就偷偷做出来样品了，慢慢挤牙膏而已
一个服务器PC端，一个移动端，反正因特尔稳
反正Intel也不做代工，CPU也不会被农企挤占太多市场，赚钱照样美滋滋
英特尔一直吹牛你不知道？
图上面明明写的是14nm的表现吊打其他家最好的14/16nm 20%
其他家只是命名激进。。intel为了平反还出了个计算公式来着
只有7nm才算反超
我不明白为何你们整天瞎几把吹Intel工艺，假设要是Intel工艺更好，他完全可以做代工，要知道现在代工更赚钱，台积电都超过intel了，你工艺更换，抢夺台积电市场不是妥妥的，难道Intel傻有钱不赚吗？
至少今年Intel的方向乱了，酷睿架构快挖掘到头了，AMD的Zen来势汹汹，Zen二代已经在路上，而Intel新架构据说还要等几年。制程这块台积电和三星正在努力缩小差距，Intel领先优势正在减少。
你确定被反超了？一看这U的电压我就觉得牙膏厂的制程真牛批。ryzen的电压基本都是1.2往上，牙膏厂的电压都1.1左右，差距够大了。
不上gaa你以为那个7nm打得过14++？上次被打脸没打爽是吧。intel发言承认近三倍密度的10nm都打不过自家14++，你以为10nm很领先？7nm拿头来打？。。第一代14真按性能算连自家22nm都不如，5775c止步4.4g，往后功耗失控；g轻松的一逼，4.5g以上能耗比绝对优于5775c，别说超没超过有争议，超过了一个半倒退工艺证明你很强？
10lpe打得过14+？
但是Kabylake都卖这么久了，指标领先的10FF才刚憋出来
看帖识ID系列
牙膏挤太久了
intel的10nm已经做出来了，但是因为高频性能不行所以被放弃了
台漏电和丧星就喜欢吹**，就拿显卡用的台漏电16nm finfet工艺来说，密度只相当于自家28nm的2倍而已，也就是实际上就是21nm真实密度
吓得英特尔把前年研发的10nm挤出来了?﹏﹏　 我大清物产丰盈，无所不有，不籍外夷以通有无。 什么！大清亡了?
台漏电那垃圾20nm还不如自家28nm，16nm初期甚至不如英特尔的22nm
牙膏厂那么厉害，为什么不做移动端？现在手机市场可比pc大的多，为什么放着这个香饽饽不吃？？貌似牙膏厂市值被高通超了啊
破布如是说
TSMC 10nm和Intel 10nm比，密度怎么样？
只有台积电和INTEL同时代工同一款U才能体现出差距你们这里吵成狗都是在瞎BB
就说三星的14nm吧，原来台积电是打算叫20nm的，但是因为同样的工艺三星已经叫14nm，所以台积电才叫16nm以吸引消费者
10nm烧钱反馈低，反正桌面端架构没突破的情况下高频和指令集都是实打实的提升，14nm++挺合适的。牙膏厂估计愿意投身7nm。看看新的酷睿i9都用上硅脂了感觉牙膏厂还是不急
10nm也不是高性能节点啊 也就是手机嵌入式这种在用 大核心设备得等7nm了 漏电星也承认过 自家10nm搞不过因特二14nm的
这问题这么久了，你们怎么还没讨论出结果
登录百度帐号