MOS管的vgs大多是多少伏？_百度知道
MOS管的vgs大多是多少伏？
MOS管的vgs大多是多少伏？
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Vgs是MOS管的驱动电压，首先分NMOS和PMOS然后又分增强型和耗尽型一般情况下，增强型NMOS管的Vgs是一个大于0的电压，插件型的一般是12V左右，贴片型的可以做到5V耗尽型的开启电压跟增强型的差不多，但是其关断电压是一个负电压，实际用的不多PMOS与NMOS电压相反。
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MOSFET,Vgs,1V 谁能告诉我，什么型号的MOSFET管的Vgs电压小于1V.谢谢。
MOSFET,Vgs,1V 谁能告诉我，什么型号的MOSFET管的Vgs电压小于1V.谢谢。
没见过Vgs小于1V的，只用过1.8伏的
多大功率的？小功率MOSFET有接近1V的，而且Vgs是负温度系数，高温下可以低于1V
这个，还是有个测试条件的，不能光听厂家说的，我们就吃过这样的亏，各厂家测试条件差异很大的，
我也在找这样的MOS管，能不能说说型号？
应该是很罕有用干电池的MP3，升压电路如果用Vgs电压小于1V的MOS管来代替双极型晶体管的话，电池寿命至少廷长30%，这是个卖点呀，还用MP3厂家一直都是用双极型晶体管，他们不会不知道这个道理吧。
我也在寻找这样的mos管！！！
耗尽型mos管能代替吗？
不能纯粹的说VGS要求多少吧?还必须要看其它的参数,不知道楼主对其它参数的要求.如果仅是指Vgs(th)小于1V,那就多着了,但如果不是,那还需要提供测试的条件,ID值.才能确定是否达到VGS小于1V,VGS与ID是有直接关系。
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Copyright (C) 《电子产品世界》杂志社 版权所有关于场效应管Vgs和Vds电压的问题
关于场效应管Vgs和Vds电压的问题以前学MOS管的时候记得是G极电压,D极电压,S极电压这样叫.我知道电压是指电路之间的电位差,但弄不明白Vds是指D极电压减去S极电压的值,还是Vds只表明了电压或电流的方向,
是这样子的,电路有个参考点作为地,平时所说的电压都是相对于地做参考的,比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压.你所问的Vds是指D极相对于S极的电压,也就是由原来的参考地改为以S作为参考.简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话,改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了.
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与《关于场效应管Vgs和Vds电压的问题》相关的作业问题
1、UGD=UGS-UDS,这是定义,没有什么好说的.2、第三个式子是从第二个推导出来的.3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了.具体过程是这样的.（1）首先设定UDS为0,然后慢慢增加UGS,等到UGS〉UGS（th）,管子两端只要加微量电流,管子就可以导通,此时沟道形成了.（2）当U
PMOS管的Vgs和Vds各加什么样的电压正向还是反向?
P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低）,管子就开始导通,压差越大,G和S（源极）之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大.还有一件事情就是G和S之间的最大耐压,元器件手册上有说明.最后就是G和S之间容许通过的最大电流,这个元器件手册上写的也很清
万万不可!理解错了GS之间双向都是绝缘的如击穿就坏了,是物理击穿不可逆的.更无稳压作用可言,你所发现的情况一定菅内接有稳压二极管如一些MOSFET在D.S间用此法防击穿的型号是很多的 再问： 如果我要是像利用mos管来稳压，应该怎么做，比如我输入在100v以上，但我想得到40以下的电压，无论我输入是多少，都能保持在很小
对不起,场效应管的输入电阻较大,栅极电流非常小. 再问： 哦，输入电阻较大，栅极电流小，是吗，是我问错了吗 再答： 当然，再多看看书吧。
"一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极（相对于源极）时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 Vg > Vs －－－－－－书上说的."这句话是错误的,应该是VG
VGS大于开启电压 再问： 为什么不是vds小于夹断电压？耗尽型mos管还需要开启？ 再答： 抱歉记错了，Ugs大于夹断电压就可（Ugs可正可负）再问： 哦哦
N沟道MOS管（一般源极接地）,只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右）,便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道,将源极和漏极连在一起,成为导电通道；这时只要在漏极加上电压,便可形成电流,此时电流同时受Vgs和Vds控制；当Vgd＝Vgs－Vds＜Vth时,沟道在漏极夹断,管子进入饱和区,此时电流仅受Vgs控制（忽
通常并不要这三个电压个为Vdd的1/3, 不过为了使输出信号正负半周振幅相等, Rd上的电压和Vds电压大致相等,而Vs只要满足静态工作电流要求就行了,约（1-2v）. 如果你的VDDS是5v,三个电压凑巧可以都是VDD的1/3,但这是特殊情况. 再问： 书上说根据经典的偏置法而确定的，Vdd是15V，我想知道原理是什
18是0,18um工艺 再问： 不是尺寸，有文档说是“工作在1.8V下” 但是这个“工作在”我不知道指的是哪个电压 再答： 电源电压再问： VGS还是VDS 再答： Both
Vgs 代表开启电压
可以替代2907的管子有很多,40N20、IRF1405、IRF、170N06、IRFP150
场效应管在漏源电压很低时,其漏源之间相当于一个可变电阻,在栅极的控制下,其阻值可以在几十欧至数兆欧之间变化.实现这种功能的一般用JFET ,MOSFET几乎不可能
沟道被耗尽层切断以后,由于耗尽层的电阻远大于沟道电阻,所以Vds电压增加部分几乎全部加在了耗尽层上,导电沟道上的电压几乎不变,所以Id几乎不变.
MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中.MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种,凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子,均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时
这个是个P管控制的电路.当HEAT_ctrl4给高电平,Q8导通,那么Q7的栅极电压也就只有24V_in的一半,即Vgs=-12V,这个Q7是P管,驱动电压为负值的时候才会导通,这点和N管是不一样的.此时Q7导通（Vds电压取决于HEAT4电流和Q7的Rds_on）.当ctrl4给低电平,Q8截止,q7的Vgs=0V,
1,不知道你需要分析什么,这个线路已经很简单了2,是控制3.0V和1V通断,换言之就是一个开关而已3,例如左图当Q3基极为高电位时候,Q3导通工作,Q1就会导通（Vgs负压）,电压3.0就会通过Q1的源极流向漏极（此基本是直通,因为Rds电阻很小）4,右图和左图的原理一样5,R2是Q3的偏置分流电阻,C1是防止干扰.6
场效应管,有很多分类,也称为单极型晶体管.&场效应管具有如下特点.（1）场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻很大.（3）它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放
因功率MOSFET具有开关速度快,峰值电流大,容易驱动,安全工作区宽,dV/dt耐量高等优点,在小功率电子设备中得到了广泛应用.但是由于导通特性受和额定电压的影响很大,而且工作电压较高时,MOSFET固有的反向二极管导致通态电阻增加,因此在大功率电子设备中的应用受至限制.IGBT是少子器件,它不但具有非常好的导通特性,选择MOS管的时候需要注意的几个参数1，VDSS（击穿电压）：此电压要选择合适，一般是加入的电压值的峰值的两倍。2，VGS（th）（开启电压）：3，RDS（on）（漏源电阻）：这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。而功耗一旦变大，就会加速温升。加速温升，就会需要用到散热装置，从而使得布板出现不必要的浪费。4，ID（导通电流）
一款电调上的MOS管,驱动桥
&& SI4166 - NMOS管子& VDS - 30V& & VGS - 正负20V& ID - 30.5A& & PD - 6.5W& 开启电压最小值范围：1.2V-2.4V& && SI4459 - PMOS管子& VDS - -30V& VGS - 正负20V& ID - -29A& & PD - 6.5W& 开启电压最小值范围：-1.2V-2.4V&pixhawk飞控上用的MOS管&& SI4835DDY - PMOS & VDS - -30V& VGS - 正负25V& ID - -13A& PD - 5.6W& 开启电压最小值范围：-1.0v - -3.0V& && NTHD4102PT1G - PMOS & VDS - -20V& VGS - 正负8V& ID - - 10s维持4.1A，标准-2.9A& PD - 1.1W& 开启电压最小值范围：-0.45v - -1.5V
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